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 如图所示,初速度为零的电子经电压 U1 加速后,垂直进入偏转电场,离开电场时偏移量为 y,偏转板间的距离为 d,偏转电压为 U2,板长为 L,为了提高偏转灵敏度(每单位偏转电压引起的偏移量)可采取的措施有(  )
A.增大偏转电压U2B.使U1变大些,U2变小些
C.尽可能使L小些D.尽可能使d小些
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相关习题

科目:高中物理 来源:2011届福建高考物理60天冲刺训练6:静电场 题型:021

如图所示,初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场,离开电场时偏移量为y,偏转板间的距离为d,偏转电压为U2,板长为L,为了提高偏转灵敏度(每单位偏转电压引起的偏移量)可采取的措施有

A.增大偏转电压U2

B.使U1变大些,U2变小些

C.尽可能使L小些

D.尽可能使d小些

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网如图所示,初速度为零的电子(电荷量为e、质量为m),经电压为U1的加速电场加速后从金属板的小孔穿出,沿两水平偏转板的中心线进入偏转电场.设偏转极板长为l,偏转极板间距为d,在距偏转极板右侧0.5l处有一竖直放置的挡板,挡板高为d,挡板中央与偏转板的中心线重合,在挡板右侧0.5l处有一竖直放置的足够大的荧光屏,O点为偏转板的中心线与荧光屏的交点,则:
(1)电子经电压U1加速后的速度v0为多大?
(2)偏转电压U2为多大时,电子恰从偏转极板边缘飞出打在荧光屏上?
(3)若改变偏转电压,当偏转电压为某一值时,电子恰从挡板边缘飞过打在荧光屏上,此时偏转电压U2′多大?打在荧光屏上的A点距O点的距离Y为多少?

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,初速度为零的电子(电荷量为e、质量为m),经电压为U1的加速电场加速后从金属板的小孔穿出,沿两水平偏转板的中心线进入偏转电场。设偏转极板长为l,偏转极板间距为d,在距偏转极板右侧0.5l处有一竖直放置的挡板,挡板高为d,挡板中央与偏转板的中心线重合,在挡板右侧0.5l处有一竖直放置的足够大的荧光屏,O点为偏转板的中心线与荧光屏的交点,则:(1)电子经电压U1加速后的速度v0为多大?

(2)偏转电压U2为多大时,电子恰从偏转极板边缘飞出打在荧光屏上?

(3)若改变偏转电压,当偏转电压为某一值时,电子恰从挡板边缘飞过打在荧光屏上,此时偏转电压U2′多大?打在荧光屏上的A点距O点的距离Y为多少?

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科目:高中物理 来源:物理教研室 题型:038

如图所示,初速度为零的离子经电势差为u的电场加速后,从离子枪T中水平射出,经过一段路程后进入水平放置的两平行金属板MNPQ之间,离子所经空间存在着磁感应强度为B的匀强磁场.不考虑重力作用,离子的荷质比q/m在什么范围内,离子都能打在金属板上?

 

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科目:高中物理 来源: 题型:038

如图所示,初速度为零的离子经电势差为u的电场加速后,从离子枪T中水平射出,经过一段路程后进入水平放置的两平行金属板MNPQ之间,离子所经空间存在着磁感应强度为B的匀强磁场.不考虑重力作用,离子的荷质比q/m在什么范围内,离子都能打在金属板上?

 

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科目:高中物理 来源: 题型:038

如图所示,初速度为零的离子经电势差为U的电场加速后,从离子枪T中水平射出,经过一段路程后进入水平放置的两平行金属板MNPQ之间,离子所经空间存在着磁感应强度为B的匀强磁场.不考虑重力作用,离子的荷质比q/m在什么范围内,离子都能打在金属板上?

 

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科目:高中物理 来源:物理教研室 题型:038

如图所示,初速度为零的离子经电势差为U的电场加速后,从离子枪T中水平射出,经过一段路程后进入水平放置的两平行金属板MNPQ之间,离子所经空间存在着磁感应强度为B的匀强磁场.不考虑重力作用,离子的荷质比q/m在什么范围内,离子都能打在金属板上?

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,初速度为零,所带电量为q的离子经过电压为U的电场加速后进入磁感强度为B的匀强磁场中,沿半圆周运动而达到记录它的照相底片P上,测得它在P上的位置到入口处的距离为d,求该离子的质量.

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,初速度为零,所带电量为q的离子经过电压为U的电场加速后进入磁感强度为B的匀强磁场中,沿半圆周运动而达到记录它的照相底片P上,测得它在P上的位置到入口处的距离为d,求该离子的质量。

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科目:高中物理 来源: 题型:

初速度为零的电子,经过电压为U1=500V的电场加速作用后,从离两平行金属距离相等的地方垂直于匀强电场飞入两板之间,如图所示.若两平行金属板之间的距离为d=1cm,板长l=5cm,则在两平行金属板上至少加多大电压U2才能使电子不再飞出两平行金属板?

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