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如图所示为,由v1、v2、v3为边长组成的四个三角形,且v1<v2<v3,根据运动的合成,在四个图中三个速度v1、v2、v3的合速度最大的是(  )
A.
魔方格
B.
魔方格
C.
魔方格
D.
魔方格
相关习题

科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示为,由v1、v2、v3为边长组成的四个三角形,且v1<v2<v3,根据运动的合成,在四个图中三个速度v1、v2、v3的合速度最大的是(  )

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

如图所示为,由v1、v2、v3为边长组成的四个三角形,且v1<v2<v3,根据运动的合成,在四个图中三个速度v1、v2、v3的合速度最大的是(  )
A.
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科目:高中物理 来源:2011-2012学年安徽省巢湖市无为二中高三(上)第二次月考物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图所示为,由v1、v2、v3为边长组成的四个三角形,且v1<v2<v3,根据运动的合成,在四个图中三个速度v1、v2、v3的合速度最大的是( )
A.
B.
C.
D.

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,竖直平面内有一半径为r、内阻为R1、粗细均匀的光滑半圆形金属环球,在M、N处与相距为2r、电阻不计的平行光滑金属轨道ME、NF相接,EF之间接有电阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的匀强磁场I和II,磁感应强度大小均为B。现有质量为m、电阻不计的导体棒ab,从半圆环的最高点A处由静止下落,在下落过程中导体棒始终保持水平,与半圆形金属环及轨道接触良好,且平行轨道足够长。已知导体棒ab下落r/2时的速度大小为v1,下落到MN处的速度大小为v2。

(1)求导体棒ab从A下落到r/2时的加速度大小。

(2)若导体棒ab进入磁场II后棒中电流大小始终不变,求磁场I和II之间的距离h和R2上的电功率P2。

(3)若将磁场II的CD边界略微下移,导体棒ab刚进入磁场II时速度大小v3,要使其在外力F作用下做匀加速直线运动,加速度大小为a,求所加外力F随时间变化的关系式

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,竖直平面内有一半径为r、内阻为R1、粗细均匀的光滑半圆形金属环球,在MN处与相距为2r、电阻不计的平行光滑金属轨道MENF相接,EF之间接有电阻R2,已知R1=12RR2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的匀强磁场I和II,磁感应强度大小均为B。现有质量为m、电阻不计的导体棒ab,从半圆环的最高点A处由静止下落,在下落过程中导体棒始终保持水平,与半圆形金属环及轨道接触良好,且平行轨道足够长。已知导体棒ab下落r/2时的速度大小为v1,下落到MN处的速度大小为v2

(1)求导体棒abA下落到r/2时的加速度大小。(6分)

(2)若导体棒ab进入磁场II后棒中电流大小始终不变,求磁场I和II之间的距离hR2上的电功率P2。(7分)

(3)若将磁场II的CD边界略微下移,导体棒ab刚进入磁场II时速度大小为v3,要使其在外力F作用下做匀加速直线运动,加速度大小为a,求所加外力F随时间变化的关系式。(7分)

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,竖直平面内有一半径为r、内阻为R1、粗细均匀的光滑半圆形金属环球,在M、N处与相距为2r、电阻不计的平行光滑金属轨道ME、NF相接,EF之间接有电阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的匀强磁场I和II,磁感应强度大小均为B。现有质量为m、电阻不计的导体棒ab,从半圆环的最高点A处由静止下落,在下落过程中导体棒始终保持水平,与半圆形金属环及轨道接触良好,且平行轨道足够长。已知导体棒ab下落r/2时的速度大小为v1,下落到MN处的速度大小为v2。

(1)求导体棒ab从A下落到r/2时的加速度大小。(6分)

(2)若导体棒ab进入磁场II后棒中电流大小始终不变,求磁场I和II之间的距离h和R2上的电功率P2。(7分)

(3)若将磁场II的CD边界略微下移,导体棒ab刚进入磁场II时速度大小v3,要使其在外力F作用下做匀加速直线运动,加速度大小为a,求所加外力F随时间变化的关系式(7分)

 

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年河北省高三下学期第一次调研考试理科物理卷 题型:计算题

如图所示,竖直平面内有一半径为r、内阻为R1、粗细均匀的光滑半圆形金属环球,在M、N处与相距为2r、电阻不计的平行光滑金属轨道ME、NF相接,EF之间接有电阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的匀强磁场I和II,磁感应强度大小均为B。现有质量为m、电阻不计的导体棒ab,从半圆环的最高点A处由静止下落,在下落过程中导体棒始终保持水平,与半圆形金属环及轨道接触良好,且平行轨道足够长。已知导体棒ab下落r/2时的速度大小为v1,下落到MN处的速度大小为v2。

(1)求导体棒ab从A下落到r/2时的加速度大小。(6分)

(2)若导体棒ab进入磁场II后棒中电流大小始终不变,求磁场I和II之间的距离h和R2上的电功率P2。(7分)

(3)若将磁场II的CD边界略微下移,导体棒ab刚进入磁场II时速度大小v3,要使其在外力F作用下做匀加速直线运动,加速度大小为a,求所加外力F随时间变化的关系式(7分)

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M'N'是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v-t图象.已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图象中坐标轴上所标出的v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量(下落过程中线框abcd始终在竖直平面内,且bc边始终水平).根据题中所给条件,以下说法正确的是(  )
A、可以求出金属线框的边长B、线框穿出磁场时间(t4-t3)等于进入磁场时间(t2-t1C、线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同D、线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳热相等

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年山东省济南市高三第一次模拟考试理科物理卷 题型:选择题

如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,并在线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直。现金属线框内距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v – t 图像。已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图像中坐标轴上所标出的字线v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量。(下落过程中bc边始终水平)根据题中所给条件,以下说法正确的是      (    )

    A.可以求出金属框的边长

    B.线框穿出磁场时间(t1—t3)等于进入磁场时间(t2—t1)

    C.线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同

    D.线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳相等

 

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科目:高中物理 来源:2013年高考物理复习卷C(九)(解析版) 题型:选择题

如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M'N'是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v-t图象.已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图象中坐标轴上所标出的v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量(下落过程中线框abcd始终在竖直平面内,且bc边始终水平).根据题中所给条件,以下说法正确的是( )

A.可以求出金属线框的边长
B.线框穿出磁场时间(t4-t3)等于进入磁场时间(t2-t1
C.线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同
D.线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳热相等

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同步练习册答案