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如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,相距为r.球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F.现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为F′.则F与F′之比为(  )
A.8:3B.8:1C.1:8D.4:1
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科目:高中物理 来源: 题型:

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,相距为r.球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F.现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为F′.则F与F′之比为(  )

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年甘肃武威六中高二上学期期中考试物理试卷(带解析) 题型:单选题

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B, 相距为r。球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F。现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为。则F与之比为  (    )

A.B.C.D.

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年湖南邵阳石齐学校高二上学期期中考试理科物理试卷(带解析) 题型:单选题

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,相距为r。球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F。现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为。则F与之比为

A.B.C.D.

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科目:高中物理 来源:2014届湖南邵阳石齐学校高二上学期期中考试理科物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,相距为r。球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F。现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为。则F与之比为

A.        B.        C.        D.

 

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科目:高中物理 来源:2014届甘肃武威六中高二上学期期中考试物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,  相距为r。球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F。现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为。则F与之比为  (     )

A.            B.            C.          D.

 

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科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,相距为r.球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F.现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为F′.则F与F′之比为(  )
A.8:3B.8:1C.1:8D.4:1
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科目:高中物理 来源:2010-2011学年高二(上)模块物理复习卷(选修3-1)(解析版) 题型:选择题

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,相距为r.球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F.现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为F′.则F与F′之比为( )

A.8:3
B.8:1
C.1:8
D.4:1

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年山西省晋城市阳城二中高二(上)模块物理试卷(选修3-1)(解析版) 题型:选择题

如图所示,在真空中,两个放在绝缘架上的相同金属小球A和B,相距为r.球的半径比r小得多,A带电荷量为+4Q,B带电荷量为-2Q,相互作用的静电力为F.现将小球A和B互相接触后,再移回至原来各自的位置,这时A和B之间相互作用的静电力为F′.则F与F′之比为( )

A.8:3
B.8:1
C.1:8
D.4:1

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网如图所示,真空中光滑绝缘细杆ab水平放置,细杆两端分别固定带电量均为+Q的点电荷,O点是细杆的中点,在ao的中点c处套有一个带负电的小球(可看成检验电荷).现使小球以初速度v0向b运动,随后小球的运动情况可能是(  )
A、始终向b运动,减速直至停止B、始终向b运动,先减速后加速C、先向b作减速运动,后向a作加速运动D、在o点两侧作往复运动

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科目:高中物理 来源:专项题 题型:计算题

如图所示,半径为r、圆心为O1的虚线所围的圆形区域内存在垂直纸面向外的匀强磁场,在磁场右侧有一竖直放置的平行金属板CD,两板间距离为L,在CD板中央各有一个小孔O2O3O1O2O3在同一水平直线上,两根足够长的直金属导轨MNPQ平行放置在倾角为θ的绝缘斜面上,两导轨间距也为LMP两点间接有阻值为R的电阻。一根质量为M的均匀直导体棒ab放在两导轨上,并与导轨垂直,闭合回路,导轨与导体棒的电阻不计,二者之间的摩擦不计。整套装置处于匀强磁场中,磁场的磁感应强度为B,磁场方向垂直于斜面向上。整个装置处在真空室中,有一电荷量为+q、质量为m的粒子(重力不计),以速率v0从圆形磁场边界上的最低点E沿半径方向射入圆形磁场区域,最后从小孔O3射出。现释放导体棒ab,其沿着斜面下滑h后开始匀速运动,此时仍然从E点沿半径方向射入圆形磁场区域的相同粒子恰好不能从O3射出,而从圆形磁场的最高点F射出。求:
(1)圆形磁场的磁感应强度B′
(2)导体棒ab的质量M
(3)导体棒ab下落h的整个过程中,导体棒ab克服安培力做的功为多少?

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