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图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m,的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间的变化如图乙,导体棒PQ始终静止,在0~t1时间内(  )

魔方格
A.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上
B.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下
C.导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D.导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大
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科目:高中物理 来源: 题型:

图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m,的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间的变化如图乙,导体棒PQ始终静止,在0~t1时间内(  )
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科目:高中物理 来源:不详 题型:多选题

图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m,的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间的变化如图乙,导体棒PQ始终静止,在0~t1时间内(  )

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A.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上
B.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下
C.导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D.导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

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科目:高中物理 来源:2013年高考物理备考复习卷B10:电磁感应(解析版) 题型:选择题

图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m,的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间的变化如图乙,导体棒PQ始终静止,在0~t1时间内( )

A.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上
B.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下
C.导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D.导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

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科目:高中物理 来源:2013年高考物理复习卷C(十五)(解析版) 题型:选择题

图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m,的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度随时间的变化如图乙,导体棒PQ始终静止,在0~t1时间内( )

A.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上
B.导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下
C.导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D.导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

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科目:高中物理 来源:不详 题型:多选题

如图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度的变化如图乙,PQ始终静止,在0-ts内,PQ受到的摩擦力的变化情况可能是(  )

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A.f一直增大B.f一直减小
C.f先减小后增大D.f先增大后减小

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科目:高中物理 来源:2009年山东省高考物理模拟试卷(二)(解析版) 题型:选择题

如图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度的变化如图乙,PQ始终静止,在0-ts内,PQ受到的摩擦力的变化情况可能是( )

A.f一直增大
B.f一直减小
C.f先减小后增大
D.f先增大后减小

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科目:高中物理 来源:2011年浙江省高考物理模拟试卷(三)(解析版) 题型:选择题

如图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度的变化如图乙,PQ始终静止,在0-ts内,PQ受到的摩擦力的变化情况可能是( )

A.f一直增大
B.f一直减小
C.f先减小后增大
D.f先增大后减小

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科目:高中物理 来源: 题型:

图9-1-28甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQabcd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度的变化如图乙,PQ始终静止,在0~t1时间内                                                                                        (  ).

图9-1-28

A.PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向上

B.PQ受安培力方向始终沿轨道斜面向下

C.PQ受到的摩擦力可能一直增大

D.PQ受到的摩擦力可能先减小后增大

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科目:高中物理 来源: 题型:

(2007?汕头模拟)如图甲中bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度的变化如图乙,PQ始终静止,在0-ts内,PQ受到的摩擦力的变化情况可能是(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图甲所示,bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ能够始终保持静止.试画出0~t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象(取沿斜面向上为正方向).
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