科目：高中物理 来源： 题型：

一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m，各边电阻为1Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab随位置变化情况的是（　　）

A．

B．

C．

D．

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科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m，各边电阻为1Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab随位置变化情况的是（　　）

A．

B．

C．

D．

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科目：高中物理 来源：2007-2008学年北京市朝阳区高二（上）期末物理试卷（解析版） 题型：选择题

一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m，各边电阻为1Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab随位置变化情况的是（ ）

A．
B．
C．
D．

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科目：高中物理 来源：2007-2008学年江苏省常州市金坛市华罗庚中学高二（上）月考物理试卷（12月份）（解析版） 题型：选择题

一正方形闭合导线框abcd的边长L=0.1m，各边电阻为1Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，则图中能正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab随位置变化情况的是（ ）

A．
B．
C．
D．

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科目：高中物理 来源： 题型：

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科目：高中物理 来源： 题型：

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科目：高中物理 来源：不详 题型：单选题

一正方形闭合导线框abcd，边长L="0.1" m，各边电阻均为1 Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L="0.1" m、磁感应强度为1 T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4 m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，下面各图可正确表示线框从进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差U_ab随位置变化情况的是（   ）

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科目：高中物理 来源： 题型：

一正方形闭合导线框abcd，边长L=0.1m，各边电阻为1Ω，bc边位于x轴上，在x轴原点O右方有宽L=0.1m、磁感应强度为1T、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，如图所示，当线框以恒定速度4m/s沿x轴正方向穿越磁场区域过程中，下面个图可正确表示线框进入到穿出磁场过程中，ab边两端电势差Uab随位置变化情况的是

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科目：高中物理 来源： 题型：

一正方形闭合导线框abcd，边长为L=0.1m，线框总电阻为0.1Ω，bc边位于x轴上且b点与坐标原点O重合．在x轴原点O的右侧有宽度为0.2m、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域，磁场的磁感应强度为1.0T，如图所示．当线框以4.0m/s的速度沿x轴正方向匀速运动穿过磁场区域时，选项中的图表示的是线框从进入磁场到穿出磁场的过程中，线框电流I（规定顺时针方向为电流的正方向）、线框所受安培力F（规定水平向左为力的正方向）随ab边位置变化的情况，其中正确的是（　　）

A、

B、

C、

D、

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科目：高中物理 来源：2012届广东省广州市七区联考高二下学期期末教学质量监测物理试卷 题型：选择题

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