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分别位于元素周期表的第2、3周期的主族元素A和B,它们的离子的电子层相差2层.已知A处于第m族,B处于第n族,A只有正化合价.则A、B原子核外电子总数分别为


  1. A.
    m、n
  2. B.
    3、7
  3. C.
    m-2、10n
  4. D.
    m+2、n+10
D
解析:
A元素只有正化合价,所以A为金属元素,形成阳离子时一般失去一个电子层;
由于A、B分别位于第2、3周期,且离子的电子层相差2层,所以A位于第2周期第m族,B位于第3周期第n族且为非金属元素,所以,A、B分别有2个、3个电子层.在主族元素中,其最外层电子数与族序数相等,因而,A、B的核外电子总数分别为2+m、10+n.
练习册系列答案
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科目:高中化学 来源: 题型:

现有四种元素,分别位于元素周期表的前四个不同周期,其原子序数总和为48.由它们可组成甲、乙、丙、丁四种单质和A、B、C、D四种化合物,其中甲、乙为非金属单质,丙、丁为金属单质.这些物质间的转化关系如图所示(反应条件已省略)
请回答下列问题:
(1)组成丁的元素在周期表中的位置
第四周期第Ⅷ族
第四周期第Ⅷ族
.B的俗名
磁性氧化铁
磁性氧化铁
,C物质的用途之一
作耐火材料或治炼铝的原料
作耐火材料或治炼铝的原料

(2)写出A+乙
B的化学方程式
6FeO+O2
  △  
.
 
2Fe3O4
6FeO+O2
  △  
.
 
2Fe3O4

(3)在加热条件下,丁与气态D可发生反应,该反应的化学方程式为
3Fe+4H2O(g)
 高温 
.
 
Fe3O4+4H2
3Fe+4H2O(g)
 高温 
.
 
Fe3O4+4H2

(4)若21.6g A与适量的乙反应生成B,A、B按上述图示转化为溶液I和溶液II(假设各步反应均恰好进行完全);向溶液I中通入
0.1
0.1
mol Cl2,经充分反应可恰好使溶质的组成与溶液II完全相同.

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科目:高中化学 来源: 题型:

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物,该化合物也能用作半导体材料。试推断该化合物的化学式。

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科目:高中化学 来源: 题型:

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物,该化合物也能用作半导体材料。试推断该化合物的化学式。

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科目:高中化学 来源:2011届江西省师大附中高三第三次模拟考试(理综)化学部分 题型:填空题

(15分)现有四种元素,分别位于元素周期表的前四个不同周期,其原子序数总和为48.由它们可组成甲、乙、丙、丁四种单质和A、B、C、D四种化合物,其中甲、乙为非金属单质,丙、丁为金属单质.这些物质间的转化关系如下图所示(反应条件已省略)

请回答下列问题:
(1)组成丁的元素在周期表中的位置________________.B的俗名_____________,C物质的用途之一_____________________.
(2)写出A+乙B的化学方程式___________________________________.
(3)在加热条件下,丁与气态D可发生反应,该反应的化学方程式为___________.
(4)若21.6g A与适量的乙反应生成B,A、B按上述图示转化为溶液I和溶液II(假设各步反应均恰好进行完全);向溶液I中通入________mol Cl2,经充分反应可恰好使溶质的组成与溶液II完全相同.

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