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(6分)一种离子晶体的晶胞如右图其中阳离子A以表示,阴离子B以表示。

(1)每个晶胞中含A离子的数目为________,含B离子数目为________。
(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是___________________;
(3)阳离子周围距离最近的阴离子数为_____,阴离子周围距离最近的阳离子数_____。
(4)已知A的离子半径为r m,则该晶胞的体积是 ___________m3

(6分,每空1分)(1)4、8        (2)CaF2    (3)8、4      (4)16r3

解析试题分析:(1)根据晶胞结构可知,B请别再晶胞内,共计是8个。而A离子的个数个。
(2)根据(1)可知,该离子化合物的化学式是AB2。又因为A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则A是Ca,B是F,所以化学式是CaF2
(3)根据晶胞结构可知,钙离子周围距离最近的阴离子F数为8个,而阴离子周围距离最近的阳离子数4个。
(4)已知A的离子半径为r m,则该晶胞的面半径是4rm,所以晶胞的边长是,因此晶胞的体积是16r3
考点:考查晶胞结构的判断、计算和化学式的确定
点评:该题是中等难度的试题,也是高考中的重要考点和题型,试题综合性强,注重基础知识的巩固,侧重能力的培养和解题方法的指导与训练。有利于培养学生的逻辑推理能力和抽象思维能力。该题的关键是明确晶胞中离子个数的计算原则和依据,有利于提高学生分析问题、解决问题的能力。

练习册系列答案
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科目:高中化学 来源: 题型:

一种离子晶体的晶胞如图其中阳离子A以表示,阴离子B以表示.
(1)每个晶胞中含A离子的数目为
4
4
,含B离子数目为
8
8

(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是
CaF2
CaF2

(3)阳离子周围距离最近的阴离子数为
8
8
,阴离子周围距离最近的阳离子数
4
4

(4)已知A的离子半径为r m,则该晶胞的体积是
16
2
r3
16
2
r3
m3

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科目:高中化学 来源: 题型:

一种离子晶体的晶胞如右图。其中阳离子A以表示,阴离子B以表示。

(1)每个晶胞种含A离子的数目为________,含B离子数目为________。

(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是___________________;

(3)阳离子的配位数为_________,阴离子的配位数为________。

(4)已知A的离子半径为0.99×1010m,则该晶胞的体积是_______________m3

(每空2分,共12分)

 

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科目:高中化学 来源:2010-2011学年湖北省孝感高中高二下学期期中考试化学试卷 题型:填空题

(13分)(1)下列是钠、碘、金刚石、干冰、氯化钠晶体的晶胞图(未按顺序排序)。与冰的晶体类型相同的是__    ___(请用相应的编号填写)

(2)一种离子晶体的晶胞如图。其中阳离子A以表示,阴离子B以表示。则每个晶胞中含A离子的数目为________,含B离子数目为________。若A的核外电子排布与Ar相同,B的核外电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是___________________;

(3)下图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子。

(4)通常人们把拆开1 mol某化学键所吸收的能量看成该化学键的键能。键能的大小可以衡量化学键的强弱,也可用于估算化学反应的反应热(△H),化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差。

化学键
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
键能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工业上高纯硅可通过下列反应制取:
SiCl4(g) + 2H2(g) 高温 Si(s) + 4 HCl(g)
则该反应的反应热△H =              kJ/mol.

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科目:高中化学 来源:2010年郑州市高二下学期期末考试化学试题 题型:填空题

一种离子晶体的晶胞如右图。其中阳离子A以表示,阴离子B以表示。

(1)每个晶胞种含A离子的数目为________,含B离子数目为________。

(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是___________________;

(3)阳离子的配位数为_________,阴离子的配位数为________。

(4)已知A的离子半径为0.99×1010m,则该晶胞的体积是_______________m3

(每空2分,共12分)

 

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