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一种离子晶体的晶胞如图其中阳离子A以表示,阴离子B以表示.
(1)每个晶胞中含A离子的数目为
4
4
,含B离子数目为
8
8

(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是
CaF2
CaF2

(3)阳离子周围距离最近的阴离子数为
8
8
,阴离子周围距离最近的阳离子数
4
4

(4)已知A的离子半径为r m,则该晶胞的体积是
16
2
r3
16
2
r3
m3
分析:(1)利用均摊法计算离子数目;
(2)根据离子的化合价及与其电子层结构相同的惰性气体元素判断该离子元素,从而写出其化学式;
(3)阳离子周围距离最近的阴离子数为8,阴离子周围距离最近的阳离子数是4;
(4)根据A离子的半径金属晶胞的边长,再利用体积公式计算.
解答:解:(1)每个晶胞中含A离子的数目=8×
1
8
+6×
1
2
=4,含B离子数目为8,
故答案为:4;8;
(2)通过(1)知,该物质的化学式为:AB2,A是金属阳离子,则A的化合价是+2价,若A的核外电子排布与Ar相同,则A是Ca元素,B的化合价是-1价,且B的电子排布与Ne相同,则B是F元素,则该离子化合物的化学式是CaF2
故答案为:CaF2
(3)阳离子周围距离最近的阴离子数为8,阴离子周围距离最近的阳离子数是4,
故答案为:8;4;
(4)该晶胞中正方形对角线的长度=4rm,则该晶胞的边长=2
2
rm,则该晶胞的体积=(2
2
rm)3=16
2
r3 m3,故答案为:16
2
r3
点评:本题考查了晶胞的有关计算,难点是配位数、晶胞体积的计算,注意晶胞边长不等于A离子直径,为易错点.
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一种离子晶体的晶胞如右图。其中阳离子A以表示,阴离子B以表示。

(1)每个晶胞种含A离子的数目为________,含B离子数目为________。

(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是___________________;

(3)阳离子的配位数为_________,阴离子的配位数为________。

(4)已知A的离子半径为0.99×1010m,则该晶胞的体积是_______________m3

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化学键
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
键能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工业上高纯硅可通过下列反应制取:
SiCl4(g) + 2H2(g) 高温 Si(s) + 4 HCl(g)
则该反应的反应热△H =              kJ/mol.

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(1)每个晶胞中含A离子的数目为________,含B离子数目为________。
(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是___________________;
(3)阳离子周围距离最近的阴离子数为_____,阴离子周围距离最近的阳离子数_____。
(4)已知A的离子半径为r m,则该晶胞的体积是 ___________m3

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(1)每个晶胞种含A离子的数目为________,含B离子数目为________。

(2)若A的核外电子排布与Ar相同,B的电子排布与Ne相同,则该离子化合物的化学式是___________________;

(3)阳离子的配位数为_________,阴离子的配位数为________。

(4)已知A的离子半径为0.99×1010m,则该晶胞的体积是_______________m3

(每空2分,共12分)

 

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