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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4+2H2
 高温 
.
 
4HCl+Si下列说法不合理的是(  )
分析:A.硅位于金属与非金属元素的交界处;
B.该反应中有气体参加反应,改变压强,反应速率改变;
C.硅与氯气能发生氧化还原反应;
D.硅能与氧气反应.
解答:解:A.硅位于金属与非金属元素的交界处,硅具有金属性和非金属性,则反应制得的硅可用于制造半导体材料,故A正确;
B.该反应中有气体参加反应,则增大压强,化学反应速率增大,故B正确;
C.硅与氯气能发生氧化还原反应,则四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得,故C正确;
D.硅能与氧气反应生成二氧化硅,所以混入少量空气对上述反应有影响,故D错误;
故选D.
点评:本题考查硅的提纯及硅的性质,明确硅在周期表的位置及硅与氯气、氧气等发生的化学反应即可解答,题目难度不大.
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科目:高中化学 来源: 题型:

四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4(g)+2H2(g)
 高温 
.
 
Si(s)+4HCl(g).下列说法合理的是(  )
A、光导纤维的主要成分是硅单质
B、减小压强有利于加快化学反应速率
C、高温下,氢气的还原性强于硅
D、混入少量空气对上述反应无影响

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科目:高中化学 来源:2012-2013学年黑龙江省牡丹江一中高二上学期期末化学试卷(带解析) 题型:单选题

四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:
SiCl4+2H24HCl+Si
下列说法不合理的是

A.反应制得的硅可用于制造半导体材料
B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D.混入少量空气对上述反应无影响

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科目:高中化学 来源:2014届黑龙江省高二上学期期末化学试卷(解析版) 题型:选择题

四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:

SiCl4+2H24HCl+Si

下列说法不合理的是

A.反应制得的硅可用于制造半导体材料

B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率

C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得

D.混入少量空气对上述反应无影响

 

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科目:高中化学 来源:2012-2013学年黑龙江省牡丹江一中高二(上)期末化学试卷(解析版) 题型:选择题

四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4+2H24HCl+Si下列说法不合理的是( )
A.反应制得的硅可用于制造半导体材料
B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D.混入少量空气对上述反应无影响

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