Question

如图是元素周期表短周期的一部分．其中F原子的电子层数为n，最外层电子数为2n+1，核内质子数为2n²-1．下列说法不正确的是（　　）

A		B	C
D		E	F

• A、D的单质是常见的半导体材料
• B、B与E形成的化合物不只一种
• C、C与F的原子序数之差一定为8
• D、A的最高价氧化物的水化物能和Al₂O₃反应

Answer 1

考点：原子结构与元素的性质

专题：

分析：由短周期元素在周期表中的位置，可知A、B、C处于第二周期，D、E、F处于第三周期，F原子的电子层数为n，故n=3，核内质子数为2n²-1，即其质子数为17，故F为Cl，可推知C为F、B为O、E为S、A为C、D为Si，结合元素化合物性质解答．

解答： 解：由短周期元素在周期表中的位置，可知A、B、C处于第二周期，D、E、F处于第三周期，F原子的电子层数为n，故n=3，核内质子数为2n²-1，即其质子数为17，故F为Cl，可推知C为F、B为O、E为S、A为C、D为Si．
A．D为Si元素，硅单质是良好的半导体材料，故A正确；
B．S元素与O元素可以形成二氧化硫、三氧化硫，故B正确；
C．F的原子序数为9，Cl的原子序数为17，二者原子序数之差为8，故C正确；
D．A为C元素，其最高价氧化物的水化物为弱酸，与Al₂O₃不反应，故D错误，
故选D．

点评：本题考查结构性质位置关系，推断元素是解题关键，难度中等，注意掌握元素化合物性质．