硅是重要的半导体材料.构成了现代电子工业的基础.回答下列问题:(1)基态Si原子中.电子占据的最高能层符号 .该能层具有的原子轨道数为 .电子数为 .(2)硅主要以硅酸盐. 等化合物的形式存在于地壳中.(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体.其中原子与原子之间以相结合.其晶胞中共有8个原子.其中在面心位置贡献个原子.(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反应� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。回答下列问题：
（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号       ，该能层具有的原子轨道数为      、电子数为         。
（2）硅主要以硅酸盐、       等化合物的形式存在于地壳中。
（3）单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以        相结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献       个原子。
（4）单质硅可通过甲硅烷(SiH₄)分解反应来制备。工业上采用Mg₂Si和NH₄CI在液氨介质中反应制得SiH₄，该反应的化学方程式为              。
（5）碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实：

化学键	C-C	C-H	C-O	Si-Si	Si-H	Si-O
键能（KJ/mol）	356	413	336	226	318	452

①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是                。
②SiH₄的稳定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是                       。
（6）在硅酸盐中，SiO₄⁴^－四面体（如下图a）通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图b为一种无限长单链结构的多硅酸根；其中Si原子的杂化形式为            。Si与O的原子数之比为       化学式为   。

（1）M；9；4 （2）二氧化硅；（3）共价键；3
（4）Mg₂Si＋4NH₄Cl=SiH₄＋4NH₃＋2MgCl₂
（5）①硅烷中的Si－Si键和Si－H键的键能小于烷烃分子中C－C键和C－H键的键能，稳定性差，易断裂，导致长链硅烷难以形成，所以硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多。
②由于键能越大，物质越稳定，C－H键的键能大于C－O键的键能，故C－H键比C－O键稳定；而Si－H键的键能却远小于Si－O键的键能，所以Si－H键不稳定，而倾向于形成稳定性更强的Si－O键，即更易生成氧化物。
（6）sp³；1:3；[SiO₃]_n²ⁿ^－(或SiO₃²^－)

（1）基态Si原子中，有14个电子，核外电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p²，电子占据的最高能层符号为M。该能层具有的原子轨道数为1个s轨道，3个p轨道，5个d轨道。
（2）硅主要以硅酸盐、二氧化硅等化合物的形式存在于地壳中。
（3）单质硅存在与金刚石都属于原子晶体，其中原子与原子之间以共价键相结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献为6×1/2＝3个原子。
（4）Mg₂Si和NH₄Cl在液氨介质中反应制得SiH₄，该反应的化学方程式为Mg₂Si + 4NH₄Cl=SiH₄+4NH₃+2MgCl₂。
（5）①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是①C—C键和C—H键较强，所形成的烷烃稳定。而硅烷中Si—Si键和Si—H键的键能较低，易断裂，导致长链硅烷难以生成。②SiH₄的稳定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是C—H键的键能大于C—O键，C—H键比C—O键稳定。而Si—H键的键能却远小于Si—O键，所以Si—H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si—O键。
（6）中心原子Si原子的杂化形式为sp³，Si与O的原子数之比为1∶3，化学式为[SiO₃]_n^2n-(或SiO₃^2-)。

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科目：高中化学 来源：不详 题型：实验题

（2014届四川省眉山市高三第一次诊断性考试化学试卷）
根据Mg能在CO₂中燃烧，某兴趣小组推测Na应该也能在CO₂中燃烧，且固体产物可能为C、Na₂O和Na₂CO₃中的两种或三种。该小组用如下图装置进行了实验探究。已知PdCl₂能被CO还原得到黑色的Pd。

回答下列问题：
（1）为了使反应随开随用，随关随停，上图虚线方框内应选用装置(填下图字母代号)，如何检验所选装置的气密性。

（2）装置2中所盛试剂为       。
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C．饱和Na₂CO₃溶液        D．饱和NaCl溶液
（3）检测装置的气密性完好并装好药品后，在点燃酒精灯前应先进行装置1中的反应操作，待观察到     现象时，再点燃酒精灯，这步操作的目的是        。
（4）由实验现象和进一步的探究得出反应机理。
A．装置6中有黑色沉淀生成；
B．取反应后直玻管中的固体物质23.0g溶于足量的水中，无气泡产生且得到澄清的溶液；将溶液加水稀释配成250 mL的溶液；
C．取25.00ml步骤B的溶液，滴加足量BaCl₂溶液，将生成的白色沉淀过滤、洗涤、干燥，称量得固体质量为1.97g。
①步骤C中不溶物干燥前必须经过洗涤，如何检验该沉淀是否洗涤干净    。
②该探究得出钠与二氧化碳反应的化学方程式为                   。

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科目：高中化学 来源：不详 题型：实验题

单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)，粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。

相关信息：①四氯化硅遇水极易水解；②SiCl₄沸点为57.7℃，熔点为－70.0℃。请回答：
（1）写出装置A中发生反应的离子方程式                                          。
（2）装置C中的试剂是             ；装置F的作用是                            ；
装置E中的h瓶需要冷却的理由是                                            。
（3）装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中含有铁元素，为了分析残留物中铁元素的含量，先将残留物预处理，使铁元素还原成Fe²^＋,再用KMnO₄标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定。
①反应的离子方程式：                                                       。
②滴定前是否要滴加指示剂？    （填“是”或“否”），请说明理由                  。
③滴定前检验Fe³^＋是否被完全还原的实验操作是                                 。

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下列关于SiO₂和CO₂的叙述中不正确的是(　　)。

A．都是共价化合物

B．SiO₂可用于制光导纤维，干冰可用于人工降雨

C．都能溶于水且与水反应生成相应的酸

D．都是酸性氧化物，都能与强碱溶液反应

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氯气用途十分广泛，可用于生产半导体材料硅，其生产的流程如下，下列说法不正确的是（）

A．①③是置换反应，②是化合反应

B．高温下，焦炭与氢气的还原性均强于硅的

C．任一反应中，每消耗或生成28 g硅，均转移4 mol电子

D．高温下将石英砂、焦炭、氯气、氢气按一定比例混合可得高纯硅

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科目：高中化学 来源：不详 题型：实验题

为了证明一氧化碳具有还原性，有人设计了下列实验：

（1）装置B中最适宜的试剂是___________________________________________。
（2）装置D中发生反应的化学方程式是___________________________________。
（3）必须用装置C吸收除去气体中水蒸气的理由是_________________________。
（4）若根据F中石灰水变浑浊的现象也能确定CO具有还原性，应在上图中装置______与______之间连接下列装置中的______（填序号）。

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