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    【题目】当温度和压强一定时，决定气体体积大小的主要因素是 (　　)

    A. 分子直径的大小 B. 分子间距离的大小

    C. 分子间引力的大小 D. 分子数目的多少

    【答案】D

    【解析】影响体积大小的因素有分子直径的大小、分子间距离的大小、分子数目的多少，在一定温度和压强下，气体分子间的距离相等，因分子间距离远大于气体分子大小，则影响其所占体积大小的主要因素是分子数目的多少，答案选D。

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】有A、B、C、D四种有机物，均由碳、氢、氧三种元素组成。A、B的实验式相同，B、C的分子式相同，B、C在一定条件下相互作用可生成D。常温常压下，A是气体，B、C、D是固体，四种物质均易溶于水，A、B、C可发生银镜反应，B的相对分子质量是A的6倍。
    ①写出四种有机物的名称：A：、B：、C：、D：。
    ②写出D的一种同分异构体发生水解反应的化学方程式：。

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】易燃、易爆、腐蚀性等化学物质在其包装上应贴有危险警告标签，下列物质贴错标签的是

    A

    B

    C

    D

    物质的化学式

    浓H2SO4

    CCl4

    P4

    NH4NO3

    危险警告标签

    腐蚀品

    易燃品

    剧毒品

    爆炸品

    A. AB. BC. CD. D

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是（　　）
    A.2.3g钠与水反应产生组气的分子数为0.05NA
    B.28gN2和N4组成的混合气体中含有的原子数为3NA
    C.0.1 molL﹣1Na2SO4溶液含有0.1NA个SO42﹣
    D.22.4L氯气中含有的电子总数一定为34NA

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】下列说法正确的是( )
    A. 的一溴代物和 的一溴代物都有4种（不考虑立体异构）
    B.CH3CH=CHCH3分子中的四个碳原子在同一直线上
    C.按系统命名法，化合物 的名称是2，3，4﹣三甲基﹣2﹣乙基戊烷
    D. 与 都是α﹣氨基酸且互为同系物

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】工业上合成甲醇的反应为：CO（g）+2H2（g）CH3OH（g）△H＜0.500℃，5MPa条件下，将0.20mol CO与0.58mol H2的混合气体充入2L恒容密闭容器发生反应，反应过程中甲醇的物质的量浓度随时间的变化如图所示
    （1）利用△H﹣T△S判断，该反应在条件下自发进行（填“高温”“低温”、或“任何温度”）．
    （2）计算500℃时该反应的平衡常数K= ． CO 的平衡转化率为 ．
    （3）下列措施可增大甲醇产率的是 ． A．压缩容器体积 B．将CO（g）从体系中分离
    C．充入He，使体系总压强增大 D．再充入0.20mol CO和0.58mol H2
    （4）可判断可逆反应达到平衡状态的依据是 ． A．v正（CO）=2v逆（H2）
    B．混合气体的密度不变
    C．混合气体的平均相对分子质量不变
    D．容器中CO、H2、CH3OH的物质的量之比为1：2：1
    E．混合气体压强不再随时间变化而变化
    （5）若其它条件不变，使反应在300℃下进行，在上图中作出甲醇的物质的量浓度随时间的变化的示意图．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】在半导体工业中有这样一句行话：“从沙滩到用户”，指的是从硅的氧化物可以制取硅单质，主要化学反应如下： a．粗硅的制取：SiO2（石英砂）+2C（焦炭） Si（粗硅）+2CO↑
    b．用粗硅与氯气在高温条件下反应合成四氯化硅： Si（粗）+2Cl2 SiCl4
    c．用氢气在高温条件下还原四氯化硅获得高纯硅：SiCl4+2H2 Si（纯）+4HCl
    （1）完成上述步骤中的反应方程式．
    （2）在粗硅的制取中，焦炭的作用是 ．
    （3）氢气还原四氯化硅获得高纯硅的反应类型为 ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】向含有KBr和KI的混合溶液中通入过量的Cl2充分反应后，将溶液蒸干，并灼烧所得的物质，最后剩余的固体物质是（ ）

    A.KCl和KIB.KBrC.KClD.KCl和I2

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    【题目】主族元素在周期表中的位置取决于该元素的原子的（ ）

    A．相对原子质量和核外电子数 B．电子层数和最外层电子数

    C．相对原子质量和最外层电子数 D．电子层数和次外层电子数

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