(1)已知:常压下.氨气在300℃时约有9.7%分解.水蒸气在2000℃时约有4%分解.氟化氢气体在3000℃时仍不分解．则这三种物质的稳定性由强到弱的顺序是 ,这三种分子的中心原子与氢原子形成的σ键的键能由大到小的顺序是．水分子中氧原子轨道的杂化类型是 ,氮元素的I1 元素的I1(选填“＞或“＜或“= )． (2)晶体硅.锗是良好的半导体材料.由第� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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（1）已知：常压下，氨气在300℃时约有9.7%分解，水蒸气在2000℃时约有4%分解，氟化氢气体在3000℃时仍不分解．则这三种物质的稳定性由强到弱的顺序是

；这三种分子的中心原子与氢原子形成的σ键的键能由大到小的顺序是

．水分子中氧原子轨道的杂化类型是

；氮元素的I₁

元素的I₁（选填“＞”或“＜”或“=”）．
（2）晶体硅、锗是良好的半导体材料，由第三周期两种元素组成的某物质是它们的等电子体，也是良好的半导体，其化学式为

．镓也是半导体材料，试以原子实的形式写出 31号镓元素原子的电子排布式

．
（3）钠、钾、铬、钼、钨等金属晶体的晶胞属于体心立方，则该晶胞中属于1个体心立方晶胞的金属原子数目是

．氯化铯型晶体的晶胞如图，则Cs⁺位于该晶胞的

；而Cl^-位于该晶胞的

；Cs⁺的配位数是

．

考点：晶胞的计算,共价键的形成及共价键的主要类型,原子轨道杂化方式及杂化类型判断

专题：化学键与晶体结构

分析：（1）根据三种气体分解的难易，判断稳定性；稳定性越强，则形成的键能越大；根据水形成的价电子对数判断杂化类型；根据N、O原子的价电子排布判断第一电离能；
（2）等电子体为原子数和价电子数分别相等的原子团；根据原子序数，结合能量最低原理、泡利不相容原理和洪特规则，写出核外电子排布式；
（3）利用均摊法计算晶胞中所含金属原子数目；根据氯化铯型晶胞结构判断．

解答： 解：（1）根据题目描述可知，氟化氢最难分解，水蒸气次之，氨气最容易分解，可知稳定性由大到小顺序为：HF＞H₂O＞NH₃，稳定性越强，则形成的键能越大，键能顺序为：HF＞H₂O＞NH₃；水分子中价电子对数为

6+2

=4，形成四条杂化轨道，杂化类型为sp³；N原子2p轨道半充满，比O原子稳定，即第一电离能较大，
故答案为：HF＞H₂O＞NH₃；HF＞H₂O＞NH₃；sp³；＞；
（2）晶体硅和锗，原子价电子数为4，其等电子体为4的倍数，则由第三周期两种元素组成的物质原子数为2，价电子数为8，可想到为AlP；镓元素原子数为31，结合能量最低原理、泡利不相容原理和洪特规则，核外电子排布式可写为1S²2S²2P⁶3S²3P⁶3d¹⁰4S²4P¹，
故答案为：AlP；1S²2S²2P⁶3S²3P⁶3d¹⁰4S²4P¹；
（3）体心立方晶胞中金属原子位于体心和顶点，数目为1+8×

=2；根据氯化铯型晶胞结构可知，Cs⁺位于该晶胞的体心；而Cl^-位于该晶胞的顶点；Cs⁺的配位数为8，
故答案为：2；体心；顶点；8．

点评：本题考查电子排布式、分子空间构型、杂化类型的判断以及有关晶体的计算，难度不大，要求学生对基础知识能够熟练掌握．

练习册系列答案

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科目：高中化学 来源： 题型：

下列物质所属的类别及其所含官能团的对应关系不正确的是（　　）

A、CH₃CH=CH₂　烯烃

B、

羧酸-COOH

C、

羧酸类-COOH

D、R-OH（R为链烃基）醇类-OH

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科目：高中化学 来源： 题型：

如图1，新技术的开发离不开新材料，结构决定性质，物质结构的研究为新材料的应用奠定了基础．2010、2011年的诺贝尔奖均与物质结构有关．2010年的诺贝尔物理学奖颁给了因在二维空间材料石墨烯方面进行了开创性实验的两位英国科学家．2011年的诺贝尔化学奖颁给了发现准晶体的以色列化学家．试回答下列问题：

（1）石墨烯可以看做单层的石墨，所有的碳原子都以单键结合，每个碳原子多余的一个电子用于形成一种特殊的大π键，所以这些π键电子可以在石墨烯中自由运动．下列关于石墨烯的说法中错误的是

A．只有一个碳原子的厚度，如此薄的结晶材料肯定是非常不稳定的．
B．应该具有和金属一样良好的导电、导热性能．
C．所有的碳原子均为sp²杂化
D．由于碳碳原子间以共价键相结合，它的熔点应该是非常高的．
（2）若已知石墨烯中每个碳碳键的键长为142pm，可以计算出平均每个正六边形的面积约为5.24×10^-20m²，则12g石墨烯的面积约为

m²（用科学计数法表示，且小数点后保留两位）．
（3）上海世博会场馆大量的照明材料或屏幕使用了发光二极管（LED）．目前市售LED晶片，材质基本以GaAs（砷化镓）、AlGaInP（磷化铝镓铟）、InGaN（氮化铟镓）为主．镓的基态原子的电子排布式是

．
（4）砷化镓的晶胞结构如图2所示．与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为

．砷化镓晶体中

配位键．（填“有”或“无”）
（5）已知Ga的原子半径为136pm，As的原子半径为114pm，

=1.732，根据以上数据估算该晶体密度为

g/cm³．（列式并计算，结果取整数）

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科目：高中化学 来源： 题型：

如图所示，A为一种常见的单质，B、C、D、E是含有A元素的常见化合物．它们的焰色反应均为黄色．请填写下列空白：
（1）反应②的实验现象

．（填写选项）
A．物质A在水面上熔化成一个小球
B．物质A在水上游动
C．浮在水面上
D．发出“嘶嘶”的响声
E．反应后溶液变红
（2）以上反应中属于氧化还原反应的有

．（填写编号）
（3）反应②的化学方程式

；反应④的化学方程式

．向D中滴入少量盐酸的化学方程式

．

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科目：高中化学 来源： 题型：

某实验需要用1.0mol?L^-1 NaOH 溶液500mL．
配制实验操作步骤有：
a．在天平上称量NaOH固体，加水溶解，冷却至室温．
b．把制得的溶液小心地注入一定容积容量瓶中．
c．继续向容量瓶中加水至距刻度线1cm～2cm处，改用胶头滴管加水至刻度线．
d．用少量水洗涤烧杯和玻璃棒2～3次，每次将洗涤液转入容量瓶，并摇匀．
e．将容量瓶塞塞紧，充分摇匀．
填写下列空白：
①配制该溶液应当称取

克NaOH固体．
②操作步骤和正确顺序为

．
③如图该配制过程中两次用到玻璃棒，其作用分别是

、

．
④定容时，若俯视刻度线，会使结果

（填“偏高”、“偏低”或“无影响”）．

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科目：高中化学 来源： 题型：

分现用质量分数为98%密度为1.84g?cm^-3的浓H₂SO₄来配制500mL0.2mol?L^-1的稀H₂SO₄．请回答下列问题：
（1）经计算，需浓H₂SO₄的体积为

mL．现有①10mL ②50mL ③100mL三种规格的量筒，你选用的量筒是

（填代号）．
（2）将浓H₂SO₄加适量蒸馏水稀释后，冷却片刻，随后全部转移到

mL的容量瓶中，转移时应用玻璃棒引流．转移完毕，用少量蒸馏水洗涤烧杯2～3次，并将洗涤液全部转移到容量瓶中，再加适量蒸馏水，振荡容量瓶，使溶液混合均匀．然后缓缓地把蒸馏水直接注入容量瓶直到液面接近刻度

处．改用

滴加蒸馏水到瓶颈刻度的地方，使溶液的凹液面与刻度线相切．振荡、摇匀后，装瓶、贴签．
（3）在配制过程中，其他操作都准确，下列操作中：
错误的是

，能引起误差偏高的有

（填代号）．
①洗涤量取浓H₂SO₄后的量筒，并将洗涤液转移到容量瓶中
②未等稀释后的H₂SO₄溶液冷却至室温就转移到容量瓶中
③将浓H₂SO₄直接倒入烧杯，再向烧杯中注入蒸馏水来稀释浓H₂SO₄
④定容时，加蒸馏水超过标线，又用胶头滴管吸出
⑤转移前，容量瓶中含有少量蒸馏水
⑥定容摇匀后，发现液面低于标线，又用胶头滴管加蒸馏水至标线
⑦定容时，俯视标线．

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科目：高中化学 来源： 题型：

硅单质及其化合物应用范围很广．请回答下列问题：
制备硅半导体材料必须先得到高纯硅．三氯甲硅烷（SiHCl₃）还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如图所示：