【题目】如图所示,在探究电磁感应现象的实验中,下列说法中正确的是
A.保持导体棒静止,灵敏电流计指针会偏转
B.让导体棒在磁场中运动,灵敏电流计指针一定会偏转
C.让导体棒在磁场中左右运动,灵敏电流计指针一定会偏转
D.将导线与灵敏电流计“+”接线柱断开,让导体棒在磁场中运动,灵敏电流计指针会偏转
【答案】C
【解析】
本题涉及的知识点是电磁感应,产生感应电流的条件:闭合电路的一部分导体在磁场中做切割磁感线运动,或穿过闭合电路的磁通量发生变化。
A.保持导体棒静止,穿过闭合电路的磁通量没有发生变化,从而不会产生感应电流,所以灵敏电流计指针不会偏转。故A错误;
B.让导体棒在磁场中运动,可能是左右运动也可能是上下运动,如果是上下运动,则穿过闭合电路的磁通量没有发生变化,从而不会产生感应电流,所以灵敏电流计指针不会偏转。故B错误;
C.让导体棒在磁场中左右运动,则穿过闭合电路的磁通量发生变化,从而会产生感应电流,所以灵敏电流计指针会偏转。故C正确;
D.将导线与灵敏电流计“+”接线柱断开,电路不是闭合电路,不管导体棒在磁场中怎样运动,电路中都不会产生感应电流,灵敏电流计指针不会偏转。故D错误;
故选C。
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【题目】要测绘额定电压为2 V的日常用小电珠的伏安特性曲线,所供选择的器材除了导线和开关外,还有以下一些器材可供选择:
A.电源E(电动势3.0 V,内阻可不计)
B.电压表V1(量程为0~3.0 V,内阻约2 kΩ)
C.电压表V2(0~15.0 V,内阻约6 kΩ
D.电流表A1(0~0.6 A,内阻约1 Ω)
E.电流表A2(0~100 mA,内阻约2 Ω)
F.滑动变阻器R1(最大值10 Ω)
G.滑动变阻器R2(最大值2 kΩ)
(1)为减少实验误差,实验中电压表应选择_____.,电流表应选择_____.,滑动变阻器应选择:________(填各器材的序号)
(2)为提高实验精度,请你设计实验电路图,并画在下面的虚线框中_____.
(3)实验中测得一组数据如下表所示,根据表格中的数据在方格纸上作出该电珠的伏安特性曲线________。
(4)该小电珠的额定功率是_______。
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【题目】如图所示,一足够长的斜面倾斜角度为,现有一个质量为0.4 kg,带电荷量的小球以初速度v0=5 m/s从斜面上A点竖直向上抛出。已知斜面所在的整个空间存在水平向右的匀强电场,电场强度为,重力加速度g=10m/s2。试求:
(1)小球相对A所在水平面上升的最大高度H和小球再次落到与A在同一水平面的B点(图上未标出)时,小球距离A点的距离LAB;
(2)小球再次落到斜面上时,速度方向与水平向右电场方向夹角的正切值。
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【题目】将两个负电荷A、B(带电量QA=20C和QB=40C)分别从无穷远处移到某一固定负点电荷C产生的电场不同位置M和N,克服电场力做功相同,则将这两电荷位置互换后(即将电荷A移至位置N,电荷B移至位置M,规定无穷远处为零势面,且忽略电荷A、B对点电荷C的电场分布影响),此时电荷A、B分别具有的电势能EA和EB关系描述正确的是( )
A.EAEBB.EA=EBC.EAEBD.无法确定
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【题目】如图所示,在第一象限内,有垂直纸面向里的匀强磁场(磁场足够大),磁感应强度为B ,一电子从O点沿纸面以速度v 射入磁场中,速度方向与x轴成30o 角,已知电子质量为m,电量为e, 求:
(1)定性地画出电子在磁场中的轨迹;并求电子的轨道半径r ;
(2)求电子离开磁场的出射点到O 点的距离 ;
(3)求电子在磁场中运动的时间。
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【题目】将一段导线绕成图甲所示的闭合电路,并固定在水平面(纸面)内,回路的ab边置于垂直纸面向里的匀强磁场Ⅰ中。回路的圆形区域内有垂直纸面的磁场Ⅱ,以向里为磁场Ⅱ的正方向,其磁感应强度B随时间t变化的图像如图乙所示。用F表示ab边受到的安培力,以水平向右为F的正方向,能正确反映F随时间t变化的图像是( )
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【题目】如图所示,三根相互平行的固定长直导线、和两两等距,均通有电流I,中电流力向与中的相同,与中的相反。下列说法正确的是
A.所受磁场作用力的力向与所在平面平行
B.所受磁场作用力的方向与所在平面平行
C.、和单位长度所受的磁场作用力大小之比为l:1:
D.、和单位长度所受的磁场作用力大小之比为:1
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【题目】空间有平行于梯形区域abcd的匀强电场,已知梯形的∠a=,∠c和∠d均为直角,且上底bc=2cm、下底ad=4cm,并知a、b、c三点的电势分别为4V、8V、10V。将一电荷量q=-2×10-5C的点电荷从a点开始沿abcd路线移动,则下列判断正确的是
A.梯形区域的下底ad中点的电势为6V
B.该匀强电场的场强大小为V/m
C.该点电荷在c点的电势能为+2×10-5J
D.该点电荷从a点移到d点过程中,电场力对它做功为+8×10-5J
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【题目】霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的P,Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M,N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=k,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.
(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与______(填“M”或“N”)端通过导线相连.
(2)已知薄片厚度d=0.40 mm,该同学保持磁感应强度B=0.10 T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在图2中画出UH—I图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为______×10-3V·m·A-1·T-1(保留2位有效数字).
(3)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1,S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向________(填“a”或“b”),S2掷向________(填“c”或“d”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件________和________(填器件代号)之间.
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