分析 (1)粒子沿AB方向进入电场后做类平抛运动,将射出电场的速度进行分解,根据沿电场方向上的速度,结合牛顿第二定律求出运动的时间,从而得出类平抛运动的水平位移和竖直位移,即得出射入电场的坐标.射出速度在垂直于电场方向上的速度等于初速度的大小;
(2)随着磁场向右移动荧光屏光点位置逐渐下移,当v方向与磁场圆形区域相切,此后,粒子将打在荧光屏的同一位置.根据粒子在匀强磁场中的半径公式,结合几何关系求出粒子打在荧光屏上的范围.
解答
解:(1)粒子沿AB方向进入电场后做类平抛运动,在O点将v沿x、y方向分解得:
vx=vcos30°.
vy=vsin30°
根据牛顿第二定律有:
a=$\frac{qE}{m}=\frac{1×1{0}^{-10}×1{0}^{4}}{1{0}^{-20}}m/{s}^{2}=1×1{0}^{14}m/{s}^{2}$
根据t=$\frac{{v}_{y}}{a}=\frac{2×1{0}^{6}×\frac{1}{2}}{1×1{0}^{14}}s=1×1{0}^{-8}s$.
则有:
x=${v}_{x}t=2×1{0}^{6}×\frac{\sqrt{3}}{2}×1×1{0}^{-8}m=\sqrt{3}×1{0}^{-2}$m.
y=$\frac{{v}_{y}^{2}}{2a}=\frac{(1×1{0}^{6})^{2}}{2×1{0}^{14}}m$=5×10-3m.
则粒子射入电场时的坐标位置为($\sqrt{3}×1{0}^{-2}m$,5×10-3m).
初速度为:${v}_{0}={v}_{x}=2×1{0}^{6}×\frac{\sqrt{3}}{2}m/s$=$\sqrt{3}×1{0}^{6}m/s$.
(2)洛仑兹力提供向心力,则有:$qvB=m\frac{{v}^{2}}{R}$
得:$R=\frac{mv}{qB}$=2×10-2m
由几何关系知此时出射位置为D点,轨迹如图,荧光屏最高端的纵坐标为:
${L}_{1}=2rtan30°=\frac{2\sqrt{3}}{3}r=0.0115m$
随着磁场向右移动荧光屏光点位置逐渐下移,当v方向与磁场圆形区域相切,此后,粒子将打在荧光屏的同一位置.
其最低的纵坐标为:${L}_{2}=4rtan30°=\frac{4\sqrt{3}}{3}r≈0.0231m$.
所以打在屏上的范围为:[-0.0231m,0.0115m]
答:(1)粒子射入电场时的坐标位置为($\sqrt{3}×1{0}^{-2}m$,5×10-3m).初速度为$\sqrt{3}×1{0}^{6}m/s$.
(2)粒子打在荧光屏上的范围为[-0.0231m,0.0115m].
点评 本题考查粒子在电场中类平抛运动和在磁场中的匀速圆周运动,对学生几何能力要求较高,能够找出问题的临界情况是解决本题的关键.
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| A. | P点的磁感应强度小于Q点的磁感应强度 | |
| B. | P点的磁感应强度等于Q点的磁感应强度 | |
| C. | P、Q两点磁感应强度方向相同 | |
| D. | P、Q两点磁感应强度方向相反 |
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| A. | 力F和阻力的合力所做的功等于木箱机械能的增量 | |
| B. | 木箱克服重力所做的功等于重力势能的增量 | |
| C. | 力F、重力、阻力,三者合力所做的功等于木箱动能的增量 | |
| D. | 力F所做功减去克服阻力所做的功等于重力势能的增量 |
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| A. | 表演者向上的最大加速度是g | |
| B. | 表演者向下的最大加速度是$\frac{g}{4}$ | |
| C. | B、C间的高度是$\frac{3}{7}H$ | |
| D. | 由A至C全过程表演者一直处于失重状态 |
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| A. | 这种装置中发生的反应方程式是${\;}_{1}^{2}$H+${\;}_{1}^{3}$H→${\;}_{2}^{4}$He+${\;}_{0}^{1}$n | |
| B. | 由核反应过程质量守恒可知m1+m2=m3+m4 | |
| C. | 核反应释放的能量为(m1+m2-m3-m4)c2 | |
| D. | 这种装置与我国大亚湾核电站所使用的核装置的核反应原理是相同的 |
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