在半导体离子注入工艺中.初速度可忽略的磷离子P+和P3+.经电压为U的电场加速后.垂直进入磁感应强度大小为B.方向垂直纸面向里.有一定宽度的匀强磁场区域.如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时.离子P+和P3+( ) A．在电场中的加速度之比为1∶1 B．在磁场中运动的半径之比为∶1 C．在磁场中题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P^＋和P³^＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P^＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P^＋和P³^＋(　　)

A．在电场中的加速度之比为1∶1

B．在磁场中运动的半径之比为∶1

C．在磁场中转过的角度之比为1∶1

D．离开电场区域时的动能之比为1∶3

解析：磷离子P^＋和P³^＋的质量相等，在电场中所受的电场力之比为1∶3，所以加速度之比为1∶3，A项错误；离开电场区域时的动能之比为1∶3，初速度可忽略的磷离子P^＋和P³^＋，经电压为U的电场加速后，由动能定理可得，离开电场区域时的动能之比为它们的带电量之比，即1∶3，D项正确；在磁场中做圆周运动时洛伦兹力提供向心力qvB＝m，可得r＝，＝＝，B项正确；设P^＋在磁场中的运动半径为R，由几何知识可得磁场的宽度为R，而P³^＋的半径为R，由几何知识可得P³^＋在磁场中转过的角度为60°，P^＋在磁场中转过的角度为30°，所以磷离子P^＋和P³^＋在磁场中转过的角度之比为1∶2，C项错误．

答案：BD

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（2）改变所挂钩码的数量，多次重复测量。在某次实验中根据测得的多组数据可画出a-F关系图线（如图所示）。

①分析此图线的OA段可得出的实验结论是__________________________。

②此图线的AB段明显偏离直线，造成此误差的主要原因是（）

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B．下表面电势高

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D．该导体单位体积内的自由电子数为

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C．质子离开回旋加速器时的最大动能与交流电频率f成正比

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