如图,电阻R、电容C与一线圈连成闭合电路,条形磁铁N极接近线圈上端的过程中,流过R的电流方向和电容器极板的带电情况
是( )
A.从a到
b,上极板带正电
B.从a到b,下极板带正电
C.从b到a,上极板带正电
D.从b到a,下极板带正电
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科目:高中物理 来源: 题型:
某研究小组收集了两个电学元件:电阻R0(约为2kΩ)和手机中的锂电池(电动势E标称值为3.7V,允许最大放电电流为100mA)。实验室备有如下器材:
A.电压表V(量程3V,电阻RV 约为4.0kΩ)
B.电流表A1(量程100mA,电阻RA1 约为5Ω)
C.电流表A2(量程2mA,电阻RA2 约为50Ω)
D.滑动变阻器R1(0~40Ω,额定电流1A)
E.电阻箱R2(0~999.9Ω)
F.开关S一只、导线若干
⑴为了测定电阻R0的阻值,小明设计了一电路,如图甲所示为其对应的实物图,图中的电流表A应选
(选填“A1”或“A2”),请将实物连线补充完整。
⑵为测量锂电池的电动势E和内阻r,小红设计了如图乙所示的电路图。根据测量数据作出
—
图象,如图丙所示。若该图线的斜率为k,纵轴截距为b,则该锂电池的电动势E= ,内阻r= (用k、b和R2表示)。该实验中内阻的测量值偏小,造成此系统误差主要原因是 。
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科目:高中物理 来源: 题型:
一段长0.2 m,通过2.5 A电流的直导线,关于在磁
感应强度为B的匀强磁场中所受安培力F的情况,正确的是( )
A.如果B=2T,F一定是1 N
B.如果F=0,B也一定为零
C.如果B=4T,F有可能是1 N
D.如果F有最大值时,通电导线一定与B平行
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科目:高中物理 来源: 题型:
在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的磷离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+( )
A.在电场中的加速度之比为1∶1
B.在磁场中运动的半径之比为
∶1
C.在磁场中转过的角度之比为1∶1
D.离开电场区域时的动能之比为1∶3
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如右图所示,闭合开关S,将条形磁铁插入闭合线圈,第一次用时0.2 s,第二次用时0.4 s,并且两次磁铁的起始和终止位置相同,则( )
A.第一次线圈中的磁通量变化较快
B.第一次电流表
指针的最大偏转角较大
C.第二次电流表
指针的最大偏转角较大
D.若断开S,电流表
均不偏转,故两次线圈两端均无感应电动势
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科目:高中物理 来源: 题型:
如图,长为a、宽为b的矩形线圈,电阻为r,处在磁感应强度为B的匀强磁场边缘,磁场方向垂直于纸面向外,线圈与磁感线垂直
.用力F将线圈向右以速度v匀速拉出磁场的过程中( )
A.线圈中感应电流大小为![]()
B.安培力做的功等于Fb
C.线圈中感应电流方向为逆时针
D.线圈所受安培力逐渐减小
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为了测定光敏电阻Rx的光敏特性.
(1)某同学使用多用表“×100”的欧姆挡测其在正常光照下的大致电阻,示数如图甲所示,则所测得的阻值Rx=_________ Ω;
(2)为了比较光敏电阻在正常光照射和强光照射时电阻的大小关系,采用伏安法测电阻得出两种“U I”图线如图乙所示,由图线可知正常光照射时光敏电阻阻值为_______________ Ω,强光照射时光敏电阻阻值为____
___________ Ω;
(3)若实验中所用电压表内阻为5 kΩ,电流表内阻为100 Ω,考虑到电表内阻对实验结果的影响,图丙电路对_______________(填“正常光”或“强光”)照射时测得的误差较小.请根据图丙将图丁中的仪器连接成完整实验电路.
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如图,子弹水平射入放在光滑水平地面上静止的长为L的木块,子弹穿透木块的过程子弹的动能减少了9 J,下列说法正确的是( )
A.子弹的位移一定大于木块
的位移
B.木块动能可能增加了6 J
C.木块动能可能增加了9 J
D.系统产生的内能为9 J
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科目:高中物理 来源: 题型:
如图所示,A、B两物块叠放在一起,在粗糙的水平面上保持相对静止地向右做匀减速直线运动,运动过程中B受到的摩擦力( )
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A.方向向左,大小不变
B.方向向左,逐渐减小
C.方向向右,大小不变
D.方向向右,逐渐减小
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