如图所示，三条虚线表示某电场的三个等势面，其中φ1=10V，φ2=20V，φ3=30V一个带电粒子只受电场力作用，按图中实线轨迹从A点运动到B点，由此可知
| A．粒子带正电 |
| B．粒子的速度变大 |
| C．粒子的加速度变大 |
| D．粒子的电势能变大 |
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下列关于电场强度的叙述正确的是
| A．电场中某点的场强在数值上等于点电荷受到的电场力 |
| B．电场中某点的场强与该点检验电荷所受的电场力成正比 |
| C．电场中某点的场强方向就是检验电荷在该点所受电场力的方向 |
| D．电场中某点的场强与该点有无检验电荷无关 |
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关于如图所示的验电器，下列说法正确的是（ ）
| A．硬杆b应该用金属材料制成 |
| B．a与c应该互相绝缘 |
| C．用毛皮摩擦过的橡胶棒靠近a时，两金属箔片带等量异种电荷 |
| D．用毛皮摩擦过的橡胶棒接触a后，c所带电荷与橡胶棒所带电荷的电性相反 |
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以下说法正确的是（ ）
A．由 可知此场中某点的电场强度E与F成正比 |
| B．公式C=Q/U，电容器的电容大小C与电容器两极板间电势差U无关 |
C．由公式 可知电场中某点的电势φ与q成反比 |
| D．由Uab=Ed可知，匀强电场中的任意两点a、b间的距离越大，则两点间的电势差也一定越大 |
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硅光电池作为电源已广泛应用于人造卫星、灯塔和无人气象站等，高速公路上安装的 “电子眼”通常也采用硅光电池供电。硅光电池的原理如图所示，a、b是硅光电池的两个电极，P、N是两块硅半导体，E区是两块半导体自发形成的匀强电场区，P的上表面镀有一层增透膜。光照射到半导体P上，使P内受原子束缚的电子成为自由电子，自由电子经E区电场加速到达半导体N，从而产生电动势，形成电流。以下说法中正确的是
| A．E区匀强电场的方向由P指向N |
| B．电源内部的电流方向由P指向N |
| C．a电极为电池的正极 |
| D．硅光电池是一种把化学能转化为电能的装置 |
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下列说法中正确的是（ ）
| A．在场强较小处，电荷在该处的电势能也较小； |
| B．电荷在场强为零处的电势能也为零； |
| C．在选定为零电势的位置处，任何电荷的电势能必为零 |
| D．在场强相等的各点，电荷的电势能必相等； |
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关于电场中某点的电场强度，下列说法中正确的是（ ）
| A．若放在该点的试探电荷的电荷量减半，则场强减半 |
| B．若该点没有试探电荷，则场强为零 |
| C．该点的场强方向就是经过该点的电场线的切线方向 |
| D．该点的场强方向就是放在该点的电荷受电场力的方向 |
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如图所示，在等量异种点电荷形成的电场中有A、B、C三点，A点为两点电荷连线的中点，B点为连线上距A点距离为d的一点，C点为连线中垂线上距A点距离也为d的一点，则下面关于三点电场强度E的大小、电势
高低的比较，正确的是
A．EA＝EC＞EB，A＝C＞B
B．EB＞EA＞EC，A＝C＞B
C．EA＜EB，EA＜EC，A＞B，A＞C
D．因为电势零点未规定，所以无法判断电势高低
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关于电容器和电容，下列说法正确的是
| A．电容器所带电荷量越多，电容越大 |
| B．电容器两板间电压越低，其电容越大 |
| C．电容器不带电时，其电容为零 |
| D．电容器的电容只由它本身的特性决定 |
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得，粒子从A点运动到B点，电场力做正功，电势能减小．故D错误．
