如图所示，虚线右侧存在匀强磁场，磁场方向垂直纸面向外，正方形金属框电阻为R，边长为l，自线框从左边界进入磁场时开始计时，在外力作用下由静止开始，以垂直于磁场边界的恒定加速度a进入磁场区域，t1时刻线框全部进入磁场．规定顺时针方向为感应电流i的正方向，外力大小为F，线框中电功率的瞬时值为P，通过线框横截面的电荷量为q，其中P－t图象为抛物线，则这些量随时间变化的关系正确的是
科目：高中物理 来源：2013-2014学年甘肃省张掖市高三第五次诊断考试物理试卷（解析版） 题型：选择题
如图一个学生把风刮倒的旗杆绕着O点扶起来，已知旗杆的长度为L，学生的身高为h，当学生以速度v向左运动时，旗杆转动的角速度为（此时旗杆与地面的夹角为α）（ ）
A．ω＝
B．ω＝
C．ω＝
D．ω＝
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科目：高中物理 来源：2013-2014学年甘肃省高考冲刺模拟考试理综物理试卷2（解析版） 题型：计算题
(10分) 如图所示，半圆玻璃砖的半径R=10cm，折射率n=
，直径AB与屏幕MN垂直并接触于A点。激光a以入射角i=60°射向玻璃砖圆心O，结果在屏幕MN上出现两光斑，求两光斑之间的距离L。
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科目：高中物理 来源：2013-2014学年湖南省长沙市高三高考模拟试卷（二模）物理试卷（解析版） 题型：选择题
下列说法正确的是( )（选对一个给3分，选对两个给4分，选对三个给6分。选错一个扣3分，最低得分为0分）
A．太阳辐射的能量主要来自太阳内部的核聚变反应
B．天然放射现象的发现揭示了原子核有复杂的结构
C．一束单色光照射到某种金属表面不能发生光电效应，是因为该束光的波长太短
D．发生光电效应时,入射光的光强一定，频率越高，逸出的光电子的最大初动能就越大
E．大量的氢原子从n＝3的能级向低能级跃迁时只会辐射两种不同频率的光
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科目：高中物理 来源：2013-2014学年湖南省长沙市高三高考模拟试卷（二模）物理试卷（解析版） 题型：实验题
某同学对一个标称值为“5Ω、1.25W”的定值电阻的阻值是否准确产生了怀疑，准备用伏安法尽可能准确进行测量，现可供使用的器材如下：
A．电流表A1，量程50m A，内阻9Ω
B．电压表V1，量程l5 V，内阻约l5kΩ
C．电压表V2，量程3 V，内阻约3kΩ
D．变阻器R，全电阻约20Ω
E．定值电阻R0=1Ω
F．直流电源E，电动势4.5V，内阻不计
G．开关S、导线若干
（1）上述器材中,最适合的电压表为 （填字母编号）。
（2）答卷中的虚线框内画出测量Rx的电路图。
（3）正确连接电路后开始测量，电压表与电流表刻度指针如图示，则被测电阻值为 。
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科目：高中物理 来源：2013-2014学年湖南省岳阳市高三教学质量检测（二）物理试卷（解析版） 题型：选择题
回旋加速器在核科学、核技术、核医学等高新技术领域得到了广泛应用，有力地推动了现代科学技术的发展．回旋加速器的工作原理如图所示，置于高真空中的D形金属盒半径为R，两盒间的狭缝很小，带电粒子穿过的时间可以忽略不计。磁感应强度为B的匀强磁场与盒面垂直。A处粒子源产生的粒子，质量为m、电荷量为+q ，在加速器中被加速，设粒子初速度为零，加速电压为U ，加速过程中不考虑重力作用和相对论效应。下列说法正确的是
A．粒子在回旋加速器中运动时，随轨道半径r的增大，盒中相邻轨道的半径之差减小
B．粒子从静止开始加速到出口处所需的时间约为
C．粒子能获得的最大动能
跟加速器磁感应强度无关
D．加速电压越大粒子能获得的最大动能越大
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科目：高中物理 来源：2013-2014学年湖南省岳阳市高三教学质量检测（二）物理试卷（解析版） 题型：选择题
物理学中用到大量的科学研究方法，在推导匀变速直线运动位移公式时，把整个运动过程等分成很多小段，每一小段近似看作匀速直线运动，然后把各小段的位移相加，这是物理学中常用的微元法。如图所示的四个实验中，哪一个采用了微元法
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科目：高中物理 来源：2013-2014学年湖南省六校高三下学期4月联考理综物理试卷（解析版） 题型：选择题
如图所示，各边由不同材料制成的边长为L的正三角形金属框放置在磁感应强度大小为B的匀强磁场中。若通以图示方向的电流，且已知从B端流入的总电流强度为I。则金属框受到的总磁场力的大小为
A．0 B．BIL
C．
BIL D．条件不足，无法计算
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科目：高中物理 来源：2013-2014学年浙江省高考理综物理五月冲刺押题卷（一）物理试卷（解析版） 题型：实验题
霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足
，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。
I（×10-3A） | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
UH（×10-3V） | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
① 若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图丙所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与_________（填“M”或“N”）端通过导线相连。
② 已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示。根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出UH—I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为____________×10-3 V
（保留2位有效数字）。
③ 该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图丁所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）。为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向_______（填“a”或“b”）, S2掷向_______（填“c”或“d”）。为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件____________和__________（填器件代号）之间。
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，说明电流与时间成正比，故A错误；对线框受力分析，在水平方向上受两个力的作用，其中安培力
，由牛顿第二定律， 解得：
，不过原点，故B错误；由功率表达式，
，是一条抛物线，故C正确；由电量表达式，则有 
，是一条抛物线，故D错误；
