【题目】如图所示的平行板器件中,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁场的磁感应强度B1=0.20T,方向垂直纸面向里,电场强度E1=1.0×105V/m,PQ为板间中线。紧靠平行板右侧边缘坐标系的第一象限内,有一边界AO、与轴的夹角∠=450,该边界线的上方有垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度B2=0.25T,边界线的下方有竖直向上的匀强电场,电场强度E2=5.0×105V/m。一束带电荷量q=8.0×10-19C、质量m=8.0×10-26Kg的正离子从P点射入平行板间,沿中线PQ做直线运动,穿出平行板后从轴上坐标为(0,0.4 m)的Q点垂直轴射入磁场区,多次穿越边界线OA。离子重力不计,求:
(1)离子在平行板间运动的速度;
(2)离子进入磁场中时做圆周运动的轨道半径r;
(3)研究离子运动的轨迹,试求出离子从进入磁场到第二次穿越边界线OA所需的时间;
(4)离子第四次穿越边界线OA的位置坐标。
【答案】(1)(2)0.2m(3)(4)
【解析】
试题分析:(1)离子做直线运动,,解得
(2)离子进入磁感应强度为B2的磁场中做匀速圆周运动,
得m
(3)离子轨迹如图,交OA边界C点,由几何关系证明知,圆弧对应圆心角900,
运动时间
离子过C点速度方向竖直向下,平行于电场线进入电场做匀减速直线运动,
加速度
返回边界上的C点时间t2,由匀变速直线运动规律知
所以离子从进入磁场到第二次穿越边界0A所用时间
(4)离子第二次穿越边界线OA的位置C点的坐标为,则
离子从C点以竖直向上的速度垂直进入磁场做匀速直线运动,恰好完成圆弧,如图,后以水平向右的速度从D点离开磁场进入电场,离子第三次穿越边界OA,设D点坐标为,由几何关系得,
离子垂直进入电场做类平抛运动,垂直电场线位移为x,沿电场线位移y,
解得,
所以第四次穿越边界的E点,坐标由几何关系得
即位置坐标为
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【题目】如图,在xOy直角坐标系中,在第三象限有一平行x轴放置的平行板电容器,板间电压U=1×102V。现有一质量m=1.0×10-12kg,带电荷量q=2.0×10-10C的带正电的粒子(不计重力),从下极板处由静止开始经电场加速后通过上板上的小孔,垂直x轴从A点进入第二象限的匀强磁场中。磁场方向垂直纸面向外,磁感应强度B=1 T。粒子在磁场中转过四分之一圆周后又从B点垂直y轴进入第一象限,第一象限中有平行于y轴负方向的匀强电场E,粒子随后经过x轴上的C点,已知OC=1 m。求:
(1)粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径r;
(2)第一象限中匀强电场场强E的大小。
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【题目】关于物体的运动,下列说法中正确的是( )
A.物体在恒力作用下一定做直线运动
B.物体在变力作用下一定做曲线运动
C.物体的速度方向与合外力方向不在同一直线上时,物体做曲线运动
D.加速度不为零且保持不变的运动是匀变速运动
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【题目】根据闭合电路欧姆定律,用图甲所示的电路可以测定电池的电动势和内电阻,R为一变阻箱,改变R的阻值,可读出电压表V相应的示数U。对测得的实验数据进行处理,就可以实现测量目的.根据实验数据在坐标系中描出坐标点,如图乙所示,已知R0=100Ω,请完成以下数据分析和处理.
(1)图乙中电阻为 Ω的数据点应剔除;
(2)在坐标纸上画出关系图线;
(3)图线的斜率是 ,由此可得电池电动势E= V。(结果均保留两位有效数字)
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【题目】关于电场,下列说法正确的是( )
A. 在电场中a、b两点间移动电荷的过程中,电场力始终不做功,则电荷经过的路径上各点的场强一定为零
B. 电场强度的方向一定与电势降落的方向一致
C. 电场中,正电荷的电势高的地方电势能大,负电荷在电势低的地方电势能大
D. 电场中电势为零的点,电场强度也一定为零
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【题目】如图所示,倾角为30°,重为80N的斜面体静止在水平面上.一根轻杆一端垂直固定在斜面体上,杆的另一端固定一个重为2N的小球,小球处于静止状态时,说法正确的是( )
A. 斜面有向左运动的趋势
B. 地面对斜面的支持力为80N
C. 球对轻杆的作用力为2N,方向竖直向下
D. 轻杆对小球的作用力为2N,方向垂直斜面向上
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【题目】如图所示,OA、OB、OC三段轻绳结于O点,OB水平且与放置在水平面上质量为m1=1.5kg的物体乙相连,OC下方悬挂物体甲.此时物体乙恰好未滑动,已知OA与竖直方向的夹角θ=37°,物体乙与地面间的动摩擦因数μ=0.2,可以认为最大静摩擦力与滑动摩擦力相等.g=10m/s2(sin37°=0.6,cos37°=0.8).求:
(1)OB绳对物体乙的拉力是多大?
(2)物体甲的质量m2为多少?
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【题目】利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域。图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品薄片放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生电势差,这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是上、下表面间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B满足关系UH=kHIB,其中kH称为霍尔元件灵敏度。已知此半导体材料是电子导电,薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e。下列说法中正确的是
A.半导体样品的上表面电势高于下表面电势
B.霍尔元件灵敏度与半导体样品薄片的长度a、宽度b均无关
C.在其他条件不变时,单位体积中导电的电子数n越大,霍尔元件灵敏度越高
D.在其他条件不变时,沿磁场方向半导体薄片的厚度c越大,霍尔元件灵敏度越高
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