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霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中,如图所示,宽为cm,长为4cm,厚为cm的导体,沿方向通有3A的电流,当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过平面时,产生了V的霍尔电压,(已知导体内定向移动的自由电荷是电子),则下列说法正确的是

A.在导体的前表面聚集自由电子,电子定向移动的速率

B.在导体的上表面聚集自由电子,电子定向移动的速率

C.在其它条件不变的情况下,增大的长度,可增大霍尔电压

D.每立方米的自由电子数为

 

【答案】

D

【解析】

试题分析:已知导体内定向移动的自由电荷是电子,电流方向向右,所以电子定向移动方向向左,由左手定则可知电子所受洛伦兹力方向向上,上表面聚集自由电子,由E=U/d可知场强大小为,由qE=qvB可知电子定向移动的速率,AB均错;只有增大ab的长度时才能增大霍尔电压,由电流的微观表达可知,所以每立方米的自由电子数为

考点:考查霍尔效应

点评:难度中等,明确霍尔效应还是考查带电粒子在复合场中的运动,当电场力等于洛伦兹力时粒子匀速穿过,此种类型题还综合考查了欧姆定律、受力分析、U=Ed的问题

 

练习册系列答案
相关习题

科目:高中物理 来源: 题型:阅读理解

利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.
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如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH
IBd
,其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关.
(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高;
(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式.(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);
(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.
a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式.
b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想.

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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等.在霍尔效应实验中,如图所示,ab宽为1cm,ad长为4cm,ae厚为1.0×10-3cm的导体,沿ad方向通有3A的电流,当磁感应强度B=1.5T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时,产生了1.0×10-5V的霍尔电压,(已知导体内定向移动的自由电荷是电子),则下列说法正确的是(  )
A、在导体的前表面聚集自由电子,电子定向移动的速率v=
2
3
×10-3(m/s)
B、在导体的上表面聚集自由电子,电子定向移动的速率v=
2
3
×103(m/s)
C、在其它条件不变的情况下,增大ad的长度,可增大霍尔电压
D、每立方米的自由电子数为n=2.8×1029

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年福建省三明一中、二中高二上学期期末联考物理试卷(带解析) 题型:单选题

霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中,如图所示,宽为cm,长为4cm,厚为cm的导体,沿方向通有3A的电流,当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过平面时,产生了V的霍尔电压,(已知导体内定向移动的自由电荷是电子),则下列说法正确的是

A.在导体的前表面聚集自由电子,电子定向移动的速率
B.在导体的上表面聚集自由电子,电子定向移动的速率
C.在其它条件不变的情况下,增大的长度,可增大霍尔电压
D.每立方米的自由电子数为

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科目:高中物理 来源: 题型:

霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中,如图所示,宽为cm,长为4cm,厚为cm的导体,沿方向通有3A的电流,当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过平面时,产生了V的霍尔电压,(已知导体内定向移动的自由电荷是电子),则下列说法正确的是

A.在导体的前表面聚集自由电子,电子定向移动的速率

B.在导体的上表面聚集自由电子,电子定向移动的速率

C.在其它条件不变的情况下,增大的长度,可增大霍尔电压

D.每立方米的自由电子数为

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