霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中.例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型.研究半导体内载流子浓度的变化等．在霍尔效应实验中.如图所示.ab宽为1cm.ad长为4cm.ae厚为1.0×10-3cm的导体.沿ad方向通有3A的电流.当磁感应强度B=1.5T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时.产生了1.0×10-5V的霍尔电压.(已知导体内定向移� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等．在霍尔效应实验中，如图所示，ab宽为1cm，ad长为4cm，ae厚为1.0×10^-3cm的导体，沿ad方向通有3A的电流，当磁感应强度B=1.5T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时，产生了1.0×10^-5V的霍尔电压，（已知导体内定向移动的自由电荷是电子），则下列说法正确的是（　　）

A、在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v=

×10^-3（m/s）

B、在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v=

×10³（m/s）

C、在其它条件不变的情况下，增大ad的长度，可增大霍尔电压

D、每立方米的自由电子数为n=2.8×10²⁹个

分析：（1）根据左手定则判断出电子的偏转方向，从而比较出a、b两端电势的高低．
（2）根据电子所受电场力和洛伦兹力平衡求出电子定向移动的速率．
（3）根据电流的微观表达式，结合电子定向移动的速率求出单位体积内的载流子个数．

解答：解：A、根据左手定则可得，载流子受力的方向向上，所以向上运动，聚集在上极板上．所以在导体的上表面聚集自由电子．
稳定时载流子，在沿宽度方向上受到的磁场力和电场力平衡evB=

解得v=

1.0×10-5

1.5×0.01

×10-3m/s．故AB错误；
C、稳定时载流子，在沿宽度方向上受到的磁场力和电场力平衡evB=

所以在其它条件不变的情况下，增大ab的长度，可增大霍尔电压．故C错误；
D、根据电流的微观表达式得，I=nqSv
则单位体积内的载流子个数n=

eSv

1.6×10-19×

×10-3

=2.8×1029个．故D正确．
故选：D

点评：解决本题的关键会通过左手定则判断洛伦兹力的方向，以及知道最终电荷受电场力和洛伦兹力平衡．

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科目：高中物理 来源： 题型：阅读理解

利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域．

如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应．其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场E_H，同时产生霍尔电势差U_H．当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，E_H和U_H达到稳定值，U_H的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式U_H=R_H

，其中比例系数R_H称为霍尔系数，仅与材料性质有关．
（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出U_H和E_H的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数R_H的表达式．（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）；
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反．霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近．当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示．
a．若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式．
b．利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程．除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想．

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科目：高中物理 来源：2012-2013学年福建省三明一中、二中高二上学期期末联考物理试卷（带解析） 题型：单选题

霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示，宽为cm，长为4cm，厚为cm的导体，沿方向通有3A的电流，当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过平面时，产生了V的霍尔电压，（已知导体内定向移动的自由电荷是电子），则下列说法正确的是