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    （3分）如图所示，匀强磁场区和无磁场区的宽度都为L，磁场区Ⅰ和Ⅲ内的磁感强度大小为B；磁场区Ⅱ和Ⅳ内的磁感强度大小为2B，边长为L、总电阻为R的正方形线框abcd，以速度v向右匀速运动，从线框bc边刚进入区域Ⅰ开始计时，到线框bc边刚离开区域Ⅳ停止计时，在这段时间内线框中电流生热的平均功率为_____________W。

     
     

     

     

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2012?长宁区一模）如图所示，匀强磁场磁感应强度 B=0.2T，磁场宽度 L=0.3m，一正方形金属框边长 ab=0.1m，每边电阻R=0.2Ω，金属框在拉力F作用下以v=10m/s的速度匀速穿过磁场区，其平面始终保持与磁感线方向垂直．求：
    （1）画出金属框穿过磁场区的过程中，金属框内感应电流i和a、b两端电压Uab随时间t的变化图线（规定以adcba为正方向）；
    （2）金属框穿过磁场区域的过程中，拉力F做的功；
    （3）金属框穿过磁场区域的过程中，导线ab上所产生的热量．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网在如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）正交的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）
    A、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
    B、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
    C、若υ0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度υ＞υ0
    D、若υ0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度υ＜υ0

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0 射入场区，则（　　）
    A、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
    B、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
    C、若v0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＜v0
    D、若v0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0

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