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    【题目】水平长直轨道上紧靠放置n个质量为m可看作质点的物块，物块间用长为l的细线连接，开始处于静止状态，轨道动摩擦力因数为μ．用水平恒力F拉动1开始运动，到连接第n个物块的线刚好拉直时整体速度正好为零，则（　　）

    A. 拉力F所做功为nFl

    B. 系统克服摩擦力做功为

    C.

    D.

    【答案】BC

    【解析】物体1的位移为（n-1）l，则拉力F所做功为 WF=F（n-1）l=（n-1）Fl．故A错误．系统克服摩擦力做功为 Wf=μmgl+μmgl+…+μmg（n-2）l+μmg（n-1）l= ．故B正确．据题，连接第n个物块的线刚好拉直时整体速度正好为零，假设没有动能损失，由动能定理有 WF=Wf，解得 ．现由于绳子绷紧瞬间系统有动能损失，所以根据功能关系可知 ，故C正确，D错误．故选BC.

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】如图所示，交流发电机的矩形线圈边长ab=cd=0.5 m，ad=bc=1.0 m，线圈匝数为100匝，内阻不计，线圈在磁感应强度B= T的匀强磁场中，绕垂直磁场的虚线轴以角速度ω=10 π rad/s做匀速转动，外接理想变压器原线圈，电压表为理想交流电表，若电阻R两端电压为12 V，消耗的电功率为12 W，则

    A．交变电流的周期是0.2s

    B．交流电压表的示数为120 V

    C．变压器原、副线圈匝数之比为10:1

    D．原线圈的输入功率24 W

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】如图（）所示，一边长，质量的正方形金属线框，放在光滑绝缘的水平面上，整个装置放在方向竖直向上、磁感应强度的匀强磁场中，它的一边与磁场的边界重合。在水平力作用下由静止开始向左运动，经过线框被拉出磁场。测得金属线框中的电流随时间变化的图像如图（）所示，在金属线框被拉出的过程中，

    （1）求通过线框导线截面的电量及线框的电阻;

    （2）写出水平力随时间变化的表达式;

    （3）已知在这内力F做功，那么此过程中，线框产生的焦耳热是多少？

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】伽利略在研究自由落体运动时，做了如下的实验：他让一个铜球从阻力很小（可忽略不计）的斜面上由静止开始滚下，并且做了上百次。假设某次实验伽利略是这样做的：在斜面上任取三个位置A、B、C。让小球分别由A、B、C滚下，如图所示，A、B、C与斜面底端的距离分别为s1、s2、s3，小球由A、B、C运动到斜面底端的时间分别为t1、t2、t3，小球由A、B、C运动到斜面底端时的速度分别为v1，v2、v3，则下列关系式中正确并且是伽利略用来证明小球沿光滑斜面向下的运动是匀变速直线运动的是

    A. B.

    C. D.

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】如图所示，图中五点均在匀强电场中，它们刚好是一个圆的四个等分点和圆心．已知电场线与圆所在平面平行．下列有关圆心O和等分点a的电势、电场强度的相关描述正确的

    A. a点的电势为6V

    B. a点的电势为-2V

    C. O点的场强方向指向a点O点的场强方向指向电势为2V的点

    D. O点的场强方向指向a点

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】做匀加速直线运动的物体，速度由v增加到2v时的位移为S，则当速度由2v增加到4v时，它的位移是

    A. S B. 2S C. 3S D. 4S

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】一质点做匀加速直线运动， 第三秒内的位移2m, 第四秒内的位移是2.5m, 则这两秒内平均速度是____________m/s，第三秒末即时速度是______________m/s，质点的加速度是____________m/s2， 第三秒初即时速度是_________m/s。

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】如图所示，AOB为一边界为圆弧的匀强磁场区域，圆弧半径为R，O点为圆心，D点为边界OB的中点，C点为AB边界上一点，且CD平行于AO。现有两个完全相同的带电粒子以相同的速度垂直射入磁场(不计粒子重力)，其中粒子1从A点正对圆心O射入，恰从B点射出，粒子2从C点沿CD射入，从某点离开磁场，则( )

    A. 粒子2在磁场中的轨道半径等于R

    B. 粒子2一定不从B点射出磁场

    C. 粒子1与粒子2在磁场中的运动时间之比为3∶2

    D. 粒子1与粒子2离开磁场时速度方向相同

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    【题目】在真空室中,有垂直于纸面向里的勻强磁场，三个质子1、2和3分别以大小相等、方向如图所示的初速度v1、v2和v3,经过平板MN上的小孔O射入匀强磁场，这三个质子打到平板MN上的位置到小孔0的距离分别是s1、s2和s3，所用的时间分别为t1、t2和t3，不计质子重力，则有：

    A. t1＞t2＞t3 B. t1＜t2＜t3

    C. s1=s2＞s3 D. s1=s3＜s2

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