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    如图所示，匀强磁场区域宽度为l，现有一边长为d(d>l)的矩形金属框以恒定速度v向右通过磁场区域，该过程中有感应电流的时间总共为（     ）

    A.                 B.        C.                D.

     

    【答案】

    B

    【解析】

    试题分析：在d>l的条件下，从线圈的右边界刚进入磁场开始到右边界刚到达磁场的右边界的这段时间穿过线圈的磁通量有变化,故有感应电流,时间;从线圈的左边界刚进入磁场到左边界刚离开磁场的这段时间,同样由于穿过线圈的磁通量有变化,故有感应电流,时间  所以总时间,答案B正确

    考点：电磁感应的产生条件

     

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    在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）

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    （2012?长宁区一模）如图所示，匀强磁场磁感应强度 B=0.2T，磁场宽度 L=0.3m，一正方形金属框边长 ab=0.1m，每边电阻R=0.2Ω，金属框在拉力F作用下以v=10m/s的速度匀速穿过磁场区，其平面始终保持与磁感线方向垂直．求：
    （1）画出金属框穿过磁场区的过程中，金属框内感应电流i和a、b两端电压Uab随时间t的变化图线（规定以adcba为正方向）；
    （2）金属框穿过磁场区域的过程中，拉力F做的功；
    （3）金属框穿过磁场区域的过程中，导线ab上所产生的热量．

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    精英家教网在如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）正交的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）
    A、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
    B、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
    C、若υ0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度υ＞υ0
    D、若υ0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度υ＜υ0

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0 射入场区，则（　　）
    A、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
    B、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
    C、若v0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＜v0
    D、若v0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0

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