| A. | 导体进入磁场过程中,导体框中电流的方向为MNPQ | |
| B. | MP刚进入磁场时导体框中感应电流大小为$\frac{{\sqrt{2}Bav}}{R}$ | |
| C. | MP刚进入磁场时导体框所受安培力为$\frac{{\sqrt{2}{B^2}{a^2}v}}{R}$ | |
| D. | MP刚进入磁场时M、P两端的电压为$\frac{3Bav}{4}$ |
分析 根据楞次定律判断电流方向;根据法拉第电磁感应定律求解感应电动势根据闭合电路的欧姆定律求解感应电流;根据安培力的计算公式计算安培力大小;根据闭合电路的欧姆定律求解M、P两点电压.
解答 解:A、根据楞次定律可得导体进入磁场过程中,导体框中电流的方向为MQPN,故A错误;
B、根据导体切割磁感应线产生的感应电动势的计算公式可得感应电动势E=Bav,MP刚进入磁场时导体框中感应电流大小为:I=$\frac{E}{R}=\frac{Bav}{R}$,故B错误;
C、根据安培力的计算公式可得MP刚进入磁场时导体框所受安培力为F=BI$•\sqrt{2}a$=$\frac{\sqrt{2}{B}^{2}{a}^{2}v}{R}$,故C正确;
D、MP刚进入磁场时M、P两端的电压为路端电压,根据闭合电路的欧姆定律可得U=$\frac{1}{2}E$=$\frac{1}{2}Bav$,故D错误.
故选:C.
点评 本题主要是考查了法拉第电磁感应定律和楞次定律;理解导体切割磁感应线产生的感应电动势的计算公式E=BLv的物理意义,知道L是垂直于速度方向的有效长度.
科目:高中物理 来源: 题型:多选题
| A. | 全部粒子从I区域离开时的速度方向都相同 | |
| B. | 全部粒子都能从II区域同一位置点飞离磁场 | |
| C. | 全部粒子从A点进入磁场剑从II区域离开磁场过程中速度偏角都为180° | |
| D. | 粒子从A点进入磁场到从II区域离开磁场过程运动时间最小值为$\frac{π}{KB}$ |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 角速度大,线速度一定大 | B. | 线速度大,频率一定大 | ||
| C. | 周期大,线速度一定小 | D. | 转速大,周期一定小 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 氡的半衰期为3.8天,若取4个氡原子核,经7.6天后就一定只剩下一个氡原子核 | |
| B. | 用光照射某种金属,有光电子从金属表面逸出,如果照射光的频率不变,减弱光的强度,则逸出的光电子数减少,光电子的最大初动能不变 | |
| C. | 电子的发现使人们认识到原子具有核式结构 | |
| D. | 原子序数越大,则该原子核比结合能越大,原子核中的核子结合得越牢固 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 质点和瞬时速度采用的是同一种思想方法 | |
| B. | 在推导匀变速直线运动位移公式时,把整个运动过程划分成很多小段,每一小段近似看作匀速直线运动,再把各小段位移相加,这里运用了理想模型法 | |
| C. | 重心、合力和分力都体现了等效替代的思想 | |
| D. | 伽利略用小球在斜面上的运动验证了速度与位移成正比 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
| A. | P点的频率大于Q光的频率 | |
| B. | P光在水中的传播速度大于Q光在水中的传播速度 | |
| C. | P光恰能使某金属发生光电效应,则Q光也一定能使该金属发生光电效应 | |
| D. | 同一双缝干涉装置,P光条纹间距离小于Q光条纹间距 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 若v1=0,v2≠0,a1≠0,a2≠0,则合运动的轨迹必是匀变速曲线运动 | |
| B. | 若v1=0,v2=0,a1≠0,a2≠0,则合运动的轨迹必是匀变速直线运动 | |
| C. | 若v1≠0,v2≠0,a1=0,a2=0,则合运动的轨迹必是匀速直线运动 | |
| D. | 若v1≠0,v2≠0,a1≠0,a2≠0,则合运动的轨迹必是匀变速曲线运动 |
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