| A. | 在两个电场中运动的总时间相同 | |
| B. | 打在荧光屏上的同一点 | |
| C. | 到达屏上的动能相同 | |
| D. | 氦离子到达屏上时的动能是氢离子的两倍 |
分析 两种粒子在偏转电场中做类平抛运动,垂直于电场方向上做匀速直线运动,根据动能定理求出加速获得的速度表达式,可分析在偏转电场中经历的时间关系.根据推论分析粒子偏转距离与加速电压和偏转电压的关系,从而得出偏转位移的关系.根据动能定理求出末动能的大小,从而比较大小.
解答 解:设加速电压为U1,偏转电压为U2,加速电场宽度为L1,偏转极板的长度为L2,板间距离为d.
A、在加速电场中,由动能定理得:qU1=$\frac{1}{2}$mv02-0,解得:v0=$\sqrt{\frac{2q{U}_{1}}{m}}$,L1=$\frac{{v}_{0}}{2}$t1,运动时间:t1=2L1$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$,
粒子在偏转电场中粒子做类平抛运动,水平方向:L2=v0t2,t2=L2$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$,粒子在两个电场中运动的总时间:t=t1+t2=2L1$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$+L2$\sqrt{\frac{m}{2q{U}_{1}}}$,由于两粒子的比荷不同,粒子的运动时间不同,故A错误;
B、粒子在偏转电场中粒子做类平抛运动,水平方向:L2=v0t2,竖直方向:y=$\frac{1}{2}$at22=$\frac{1}{2}$$\frac{q{U}_{2}}{md}$t22,解得:y=$\frac{{U}_{2}{L}^{2}}{4{U}_{1}d}$,粒子的偏移量与电荷的电量和质量无关,粒子打在荧光屏上同一点,故B正确;
C、由动能定理得:EK=qU1+q$\frac{{U}_{2}}{d}$y,由于氢离子的电荷量是氦离子电荷量的两倍,y相同,则粒子的动能不同,氦离子到达屏上时的动能是氢离子的两倍,故C错误,D正确;
故选:BD.
点评 解决本题的关键知道带电粒子在加速电场和偏转电场中的运动情况,知道从静止开始经过同一加速电场加速,垂直打入偏转电场,运动轨迹相同.
科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 该质点的初速度为4m/s | B. | 该质点的加速度为5m/s2 | ||
| C. | 该质点2s末的速度为5m/s | D. | 该质点第3s内的位移为8.25m |
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科目:高中物理 来源: 题型:计算题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 安培力对ab棒所做的功相等 | |
| B. | 电流通过整个回路所做的功相等 | |
| C. | 整个回路产生的热量相等 | |
| D. | 到停止运动时,棒两次运动距离相等 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
| A. | 上滑过程中导体棒受到的最大安培力为$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$ | |
| B. | 上滑过程中电流做功发出的热量为$\frac{1}{2}$mv2-mgs(sinθ+μcosθ) | |
| C. | 上滑过程中导体棒克服安培力做的功为$\frac{1}{2}$mv2 | |
| D. | 上滑过程中导体棒损失的机械能为$\frac{1}{2}$mv2-mgssinθ |
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科目:高中物理 来源: 题型:计算题
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科目:高中物理 来源: 题型:计算题
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科目:高中物理 来源: 题型:计算题
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
| A. | 质点在板间运动的过程中与它从板的右端运动到光屏的过程中速度变化相反 | |
| B. | 板间电场强度大小为$\frac{2mg}{q}$ | |
| C. | 若仅将滑片P向下滑动一段后,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点将不会垂直打在光屏上 | |
| D. | 若仅将两平行板的间距变大一些,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点依然会垂直打在光屏上 |
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