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19.如图所示,竖直平面内有两条水平的平行虚线ab、cd,间距为d,其间(虚线边界上无磁场)有磁感应强度为B的匀强磁场,一个正方形线框边长为L,质量为m,电阻为R.线框位于位置1时,其下边缘到ab的距离为h.现将线框从位置1由静止释放,依次经过2、3、4三个位置,其下边缘刚进入磁场和刚要穿出磁场时的速度相等,重力加速度为g.下列说法正确的是(  )
A.线框在经过2、3、4三个位置时,位置3时线圈速度一定最小
B.线框进入磁场过程中产生的电热Q=mgd
C.线框从位置2下落到位置4的过程中加速度一直减小
D.线框在经过位置3时克服安培力做功的瞬时功率为$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$

分析 线框进入磁场的过程做加速度减小的减速运动,完全进入磁场后做加速度为g的匀加速运动,则知3位置时线圈速度最小,由运动学公式求解位置3的速度,即得到最小速度.由功能关系可求得电热及功率.

解答 解:A、线框进入磁场的过程做加速度减小的减速运动,完全进入磁场后做加速度为g的匀加速运动,则知3位置时线圈速度最小;故A正确;
B、由功能关系可知,线框进入磁场中减小的重力势能等于电热,即Q=mgd;故B正确;
C、由于线框在完全进入磁场后做加速度为g的加速运动;故C错误;
D、因为进磁场时要减速,即此时的安培力大于重力,速度减小,安培力也减小,当安培力减到等于重力时,线圈做匀速运动,全部进入磁场将做加速运动,
设线圈的最小速度为vm,由动能定理,从cd边刚进入磁场到线框完全进入时,则有:
$\frac{1}{2}m{v}_{m}^{2}-\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}=mgL-mgd$,
又有:$\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}=mgh$,综上所述,线圈的最小速度即3位置时的速度为${v}_{m}=\sqrt{2gh-2gd+2gL}$;则克服安培力的功率P=BILvm=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{{v}^{2}}_{m}}{R}$=$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$;故D正确;
故选:ABD.

点评 解决本题的关键根据根据线圈下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时刻的速度都是v0,且全部进入磁场将做加速运动,判断出线圈进磁场后先做变减速运动,也得出全部进磁场时的速度是穿越磁场过程中的最小速度.

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①此后正确的操作步骤是BD.(选填选项前的字母)
A.插上大头针P3,使P3挡住P2的像
B.插上大头针P3,使P3挡住P1、P2的像
C.插上大头针P4,使P4挡住P3的像
D.插上大头针P4,使P4挡住P3和P1、P2的像
②正确完成上述操作后,在纸上标出大头针P3、P4的位置(图中已标出).为测量该种玻璃的折射率,两位同学分别用圆规及刻度尺作出了完整光路和若干辅助线,如图2甲、乙所示.在图2中能够仅通过测量ED、FG的长度便可正确计算出折射率的是图乙(选填“甲”或“乙”),所测玻璃折射率的表达式n=$\frac{DE}{GF}$(用代表线段长度的字母ED、FG表示).

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