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【题目】黑箱上有三个接线柱A、B、C如图6所示,已知里面装的元件只有两个(可能的元件是电池、电阻或二极管),并且两个接线柱之间最多只接一个元件,现用多用表去进行检测,其检测结果如下:
①用直流电压挡测量,A、B、C三接线柱之间均无电压;
②用欧姆挡测量,A、C之间正、反接电阻值不变;
③用欧姆挡测量,黑表笔接A,红表笔接B,有电阻,黑表笔接B,红表笔接A,电阻值较大;
④用欧姆挡测量,黑表笔接C,红表笔接B,有电阻,阻值比②步测得的大;反接电阻值很大.
画出箱内两个元件的接法.
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【题目】为判断线圈绕向,可将灵敏电流计G与线圈L连接,如图所示。已知线圈由a端开始绕至b端;当电流从电流计G左端流入时,指针向左偏转。将磁铁N极向下从线圈上方竖直插入时,发现指针向左偏转。当条形磁铁向右远离时,指针向右偏转。俯视线圈,两线圈的绕向( )
A.为顺时针B.为顺时针C.为逆时针D.为逆时针
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【题目】如图所示,单匝线圈ABCD在外力作用下以速度v向右匀速进入匀强磁场,第二次又以速度2v匀速进入同一匀强磁场。则第二次与第一次( )
A.线圈中电流之比为2:1
B.外力做功的功率之比为2:1
C.线圈中产生的热量之比为2:1
D.通过线圈某截面的电量之比为2:1
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【题目】图示为霍尔元件工作的示意图,霍尔电压从N、M端输出,表达式为(d为霍尔元件的厚度)。其中k为霍尔系数。若该霍尔元件的载流子为电子e,n为载流子的密度,e为载流子的电量。则下列判断正确的是( )
A.N端的电势比M端高,霍尔系数为
B.M端的电势比N端高,霍尔系数为
C.N端的电势比M端高,霍尔系数为
D.M端的电势比N端高,霍尔系数为
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【题目】如图所示,在输人电压U恒定的电路上,将用电器 L接在较近的AB两端时消耗的功率是9W,将它接在较远的CD两端时消耗的功率是4W.则AC、 BD两根输电线消耗的功率为
A. 1W B. 2W C. 5W D. 13W
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【题目】矩形导线框abcd(图甲)放在匀强磁场中,磁感线方向与线框平面垂直,磁感应强度B随时间t变化的图象如图乙所示。t=0时刻,磁感应强度的方向垂直纸面向里。若规定导线框中感应电流逆时针方向为正,则在04s时间内,线框中的感应电流I以及线框的ab边所受安培力F随时间变化的图象为( )(安培力取向上为正方向)
A.B.
C.D.
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【题目】图甲是法拉第发明的人类历史上的第一台发电机,图乙是这个圆盘发电机的示意图:圆盘安装在水平铜轴上,它的边缘正好在两磁极之间,两块铜片C、D分别与转动轴和铜盘的边缘接触,下列分折正确的是( )
A.因穿过铜盘的磁通量没有发生变化,故法拉第的第一台发电机不能发电
B.假若该发电机能发电,则图乙中R上的电流从下向上流动
C.图乙中流过R的是方向不断改变的交流电
D.设图乙中铜盘半径为r,匀强磁场大小为B,铜盘转动的角速度为ω,铜盘产生的电动势为E=Bωr2
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【题目】导体导电是导体中的自由电荷定向移动的 结果,这些可以移动的电荷又叫载流子,例如金属导体中的载流子就是自由电子,现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类,一 类为N型半导体,它的载流子是电子;另 一类为P型半导体,它的载流子是“空穴”, 相当于带正电的粒子。如果把某种材料制成的霍尔元件样品置于磁场中,表面与磁场方向垂直,图中的 1、2、3、4 是霍尔元件上的 四个接线端,当开关S1、S2闭合后,三个电表都有明显示数,下列说法正确的是( )
A.通过霍尔元件的磁场方向向下
B.如果该霍尔元件为N型半导体材料制成,则接线端4的电势低于接线端2的电势
C.如果该霍尔元件为P型半导体材料制成,则接线端4的电势低于接线端2的电势
D.若仅适当减小R1,则电压表示数一定减小
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【题目】在信息技术迅猛发展的今天,光盘是存储信息的一种重要媒体,光盘上的信息通常是通过激光束来读取的,若激光束不是垂直入射到盘面上,则光线在通过透明介质层时会发 生偏折而改变行进的方向。如图所示为一束激光(黄、绿混合)入射到光盘面上后的折 射情况.则下列说法中正确的是( )
A.图中光束①是黄光,光束②是绿光
B.光束①的光子动量比光束②的光子动量大
C.若光束①、②先后通过同一双缝干涉装置,光束①条纹宽度比光束②的宽
D.若光束①、②都能使某种金属发生光电效应,则光束①照射下逸出的光电子的最大初动能较大
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【题目】在电场方向水平向右的匀强电场中,一带电小球从A 点竖直向上抛出,其运动的轨迹如图所示,小球运动的轨迹上A、B两点在同一水平线上,M为轨迹的最高点,小球抛出时的动能为8.0J,在M点的动能为6.0J,不计空气的阻力,则( )
A.从A点运动到M点电势能增加 2J
B.小球水平位移 x1与 x2 的比值 1:4
C.小球落到B点时的动能 24J
D.小球从A点运动到B点的过程中动能有可能小于 6J
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