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竖直平面内边长为a的正方形答案解析

科目:gzwl 来源: 题型:

如图所示,竖直平面内边长为a的正方形ABCD是磁场的分界线,在正方形的四周及正方形区域内存在方向相反、磁感应强度的大小均为B的与竖直平面垂直的匀强磁场,M、N分别是边AD、BC的中点。现有一质量为m、电荷量为q的带正电粒子从M点沿MN方向射出,带电粒子的重力不计。

(1)若在正方形区域内加一与磁场方向垂直的匀强电场,恰能使以初速度v0射出的带电粒子沿MN直线运动到N点,求所加电场的电场强度的大小和方向。

(2)为使带电粒子从M点射出后,在正方形区域内运动到达B点,则初速度v0应满足什么条件?

(3)试求带电粒子从M点到达N点所用时间的最小值,并求出此条件下粒子第一次回到M点的时间。

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科目:gzwl 来源:2016届山西省等校高三下第四次联考理综物理试卷(解析版) 题型:计算题

如图所示,竖直平面内边长为a的正方形ABCD是磁场的分界线,在正方形的四周及正方形区域内存在方向相反、磁感应强度的大小均为B的与竖直平面垂直的匀强磁场,M、N分别是边AD、BC的中点。现有一质量为m、电荷量为q的带正电粒子从M点沿MN方向射出,带电粒子的重力不计。

(1)若在正方形区域内加一与磁场方向垂直的匀强电场,恰能使以初速度v射出的带电粒子沿MN直线运动到N点,求所加电场的电场强度的大小和方向。

(2)为使带电粒子从M点射出后,在正方形区域内运动到达B点,则初速度v0应满足什么条件?

(3)试求带电粒子从M点到达N点所用时间的最小值,并求出此后粒子回到M点的可能时间。

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科目:gzwl 来源:2012-2013学年辽宁师范大学附属中学高三三模理综物理试卷(解析版) 题型:计算题

(18分)如图所示,竖直平面内边长为a的正方形ABCD是磁场的分界线,在正方形的四周及正方形区域内存在方向相反、磁感应强度的大小均为B的与竖直平面垂直的匀强磁场,M、N分别是边AD、BC的中点。现有一质量为m、电荷量为q的带正电粒子从M点沿MN方向射出,带电粒子的重力不计。

(1)若在正方形区域内加一与磁场方向垂直的匀强电场,恰能使以初速度v0射出的带电粒子沿MN直线运动到N点,求所加电场的电场强度的大小和方向。

(2)为使带电粒子从M点射出后,在正方形区域内运动到达B点,则初速度v0应满足什么条件?

(3)试求带电粒子从M点到达N点所用时间的最小值,并求出此条件下粒子第一次回到M点的时间。

 

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科目:gzwl 来源: 题型:计算题

(18分)如图所示,竖直平面内边长为a的正方形ABCD是磁场的分界线,在正方形的四周及正方形区域内存在方向相反、磁感应强度的大小均为B的与竖直平面垂直的匀强磁场,M、N分别是边AD、BC的中点。现有一质量为m、电荷量为q的带正电粒子从M点沿MN方向射出,带电粒子的重力不计。

(1)若在正方形区域内加一与磁场方向垂直的匀强电场,恰能使以初速度v0射出的带电粒子沿MN直线运动到N点,求所加电场的电场强度的大小和方向。
(2)为使带电粒子从M点射出后,在正方形区域内运动到达B点,则初速度v0应满足什么条件?
(3)试求带电粒子从M点到达N点所用时间的最小值,并求出此条件下粒子第一次回到M点的时间。

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科目:gzwl 来源:不详 题型:计算题

(18分)如图所示,竖直平面内边长为a的正方形ABCD是磁场的分界线,在正方形的四周及正方形区域内存在方向相反、磁感应强度的大小均为B的与竖直平面垂直的匀强磁场,M、N分别是边AD、BC的中点。现有一质量为m、电荷量为q的带正电粒子从M点沿MN方向射出,带电粒子的重力不计。

(1)若在正方形区域内加一与磁场方向垂直的匀强电场,恰能使以初速度v0射出的带电粒子沿MN直线运动到N点,求所加电场的电场强度的大小和方向。
(2)为使带电粒子从M点射出后,在正方形区域内运动到达B点,则初速度v0应满足什么条件?
(3)试求带电粒子从M点到达N点所用时间的最小值,并求出此条件下粒子第一次回到M点的时间。

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科目:gzwl 来源:2016届浙江温岭高三高考模拟物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图所示,边长为L的正方形ABCD处在竖直平面内。一带电粒子质量为m,电荷量为+q,重力不计,以水平速度v0从A点射入正方形区域。为了使带电粒子能从C点射出正方形区域,可以在正方形ABCD区域内加一个竖直方向的匀强电场,也可以在D点放入一个点电荷,则下列说法正确的是

A.匀强电场的方向竖直向上,且电场强度

B.放入D点的点电荷应带负电,且电荷量为静电力常量)

C.粒子分别在匀强电场和点电荷的电场中运动时,经过C点时速度大小之比为2∶1

D.粒子分别在匀强电场和点电荷的电场中运动时,从A点运动到C 点所需时间之比为2∶π

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科目:gzwl 来源: 题型:多选题

9.如图,边长为L的正方形ABCD处在竖直平面内,其中AB边水平、BC边竖直.一带电粒子质量为m、电荷量为-q(重力不计),以水平速度v0从A点射入正方形区域.为使带电粒子能从C点射出正方形区域,可以在正方形ABCD区域内加一个竖直方向的匀强电场,也可以在D点放入一个点电荷,则(  )
A.匀强电场的方向竖直向上,且电场强度E=$\frac{m{{v}_{0}}^{2}}{qL}$
B.若只加竖直方向的匀强电场,粒子经过C点时的速率为$\sqrt{5}$v0
C.若只在D点放入点电荷,则点电荷应带正电,电荷量为$\frac{m{{v}_{0}}^{2}L}{kq}$
D.只在D点放入点电荷,粒子从A点运动到C点所需时间为$\frac{πL}{4{v}_{0}}$

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科目:gzwl 来源: 题型:

水平桌面上放置边长为L的正方形的线圈ABCD,箭头方向指向地理北方,如图所示,已知该地方处北半球,其地磁场的磁感应强度水平方向分量大小为B1,竖直方向分量大小为B2(B1>B2)。某同学第一次让AB边以CD边为轴向上转动90°,可求得通过线圈内磁通量的变化量大小为△Φ1;放回图示位置后,该同学第二次让CD边以AB边为轴向上转动90°,则通过线圈内磁通量的变化量大小为△Φ2;故下列说法正确的是:

A.△Φ1=△Φ2=(B1-B2)L2

B.△Φ1=△Φ2=(B1+B2)L2 

C.△Φ1=(B1-B2)L2 , △Φ2=(B1+B2)L2

D.△Φ1=(B1+B2)L2 , △Φ2=(B1-B2)L2 

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科目:czwl 来源: 题型:多选题

18.如图所示,边长为3m的正方形房间内天花板上有一盏发红光的灯,某人身高1.80m,前面的竖直墙上镶嵌的一块平面镜刚好能照出他的全身像,此时人站立在镜前1米处,他的眼睛至头顶间的距离为10cm,则(  )
A.此平面镜的大小若为0.9m,它的下边缘距地面应为0.85m
B.若此人穿红衬衣、白裤子,则它在镜中的像上下装均为红色
C.此人在镜中的像距他背后的墙面的距离为2m
D.此人能同时看到他自己的像,是因为实际上有来自于像的光线进入了他的眼睛

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科目:gzwl 来源: 题型:多选题

17.如图所示,边长为L的正方形ABCD处在竖直平面内.一带电粒子质量为m,电荷量为+q,重力不计,以水平速度v0从A点射入正方形区域.为了使带电粒子能从C点射出正方形区域,可以在正方形ABCD区域内加一个竖直方向的匀强电场,也可以在D点放入一个点电荷,则下列说法正确的是(  )
A.匀强电场的方向竖直向上,且电场强度E=$\frac{mv_0^2}{qL}$
B.放入D点的点电荷应带负电,且电荷量Q=$\frac{mv_0^2L}{kq}$(k为静电力常量)
C.粒子分别在匀强电场和点电荷的电场中运动时,经过C点时速度大小之比为2:1
D.粒子分别在匀强电场和点电荷的电场中运动时,从A点运动到C 点所需时间之比为2:π

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科目:gzwl 来源:不详 题型:多选题

在竖直平面内有一边长为l的正方形区域处在场强为E的匀强电场中,电场方向与正方形一边平行.一质量为m、带电量为q的小球由某一边的中点,以垂直于该边的水平初速v0进入该正方形区域.当小球再次运动到该正方形区域的边缘时,具有的动能可能为(  )
A.0B.
1
2
m
v20
+
1
2
qEl-
1
2
mgl
C.
1
2
m
v20
D.
1
2
m
v20
+qEl+
1
2
mgl
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科目:gzwl 来源:2006-2007学年江苏省九校高三(下)第二次联考物理试卷(解析版) 题型:选择题

在竖直平面内有一边长为l的正方形区域处在场强为E的匀强电场中,电场方向与正方形一边平行.一质量为m、带电量为q的小球由某一边的中点,以垂直于该边的水平初速v进入该正方形区域.当小球再次运动到该正方形区域的边缘时,具有的动能可能为( )

A.0
B.
C.
D.

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科目:gzwl 来源:2016届吉林实验中学高三上期第五次模拟考试物理卷(解析版) 题型:选择题

如图所示,abcd为一边长为l的正方形导线框,导线框位于光滑水平面内,其右侧为一匀强磁场区域,磁场的边界与线框的cd边平行,磁场区域的宽度为2l,磁感应强度为B,方向竖直向下。线框在一垂直于cd边的水平恒定拉力F作用下沿水平方向运动,直至通过磁场区域。cd边刚进入磁场时,线框开始匀速运动。线框中电流沿逆时针时为正,则导线框从刚进入磁场到完全离开磁场的过程中,a、b两端的电压Uab及导线框中的电流i随cd边的位置坐标x变化的图线可能是( )

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科目:gzwl 来源:2016届甘肃省高三下学期第五次考试理综物理试卷(解析版) 题型:选择题

如图所示,abcd为一边长为l的正方形导线框,导线框位于光滑水平面内,其右侧为一匀强磁场区域,磁场的边界与线框的cd边平行,磁场区域的宽度为2l,磁感应强度为B,方向竖直向下。线框在一垂直于cd边的水平恒定拉力F作用下沿水平方向运动,直至通过磁场区域。cd边刚进入磁场时,线框开始匀速运动。线框中电流沿逆时针时为正,则导线框从刚进入磁场到完全离开磁场的过程中,a、b两端的电压Uab及导线框中的电流i随cd边的位置坐标x变化的图线可能是( )

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科目:gzwl 来源:福建三明一中2008-2009学年高二下学期第一次月考物理试题 题型:038

如图所示,质量为m,边长为L的正方形线框abcd,从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方h高度处由静止自由下落,磁场高度为H,线框下落过程中始终在同一竖直平面内,且cd边与磁场边界都沿水平方向

(1)请证明线框进入磁场的过程中任意时刻克服安培力做功的功率等于线框的电功率;

(2)若m=0.40 kg,L=0.45 m,h=0.80 m,H=1.45 m,且cd边进入磁场时线框刚好做匀速运动,求cd边刚穿出磁场时线框加速度大小;(g=10 m/s2)

(3)在(2)中,若线圈刚进入磁场时对其施加一竖直方向外力F,使其能以a=10 m/s2的加速度竖直向下做匀加速运动,请在下图中作出线框abcd进入磁场的过程中外力F随时间t变化的图像.

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科目:gzwl 来源: 题型:

如图所示,质量为m,边长为L的正方形线框abcd,从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方h高度处由静止自由下落,磁场高度为H,线框下落过程中始终在同一竖直平面内且cd边与磁场边界都沿水平方向

(1)请证明线框进入磁场的过程中任意时刻线框克服安培力做功的功率等于线框的电功率;

(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd边进入磁场时线框刚好做匀速运动,求cd边刚穿出磁场时线框的加速度大小;(g取10m/s2)。

(3)在(2)中,若线框刚进入磁场时对其施加一竖直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度竖直向下做匀加速运动,请在下图中作出线框abcd进入磁场的过程中外力F随时间t变化的图像。

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科目:gzwl 来源:0101 期中题 题型:计算题

如图所示,质量为m,边长为L的正方形线框abcd,从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方h高度处由静止自由下落,磁场高度为H,线框下落过程中始终在同一竖直平面内且cd边与磁场边界都沿水平方向。
(1)请证明线框进入磁场的过程中任意时刻线框克服安培力做功的功率等于线框的电功率;
(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd边进入磁场时线框刚好做匀速运动,求cd边刚穿出磁场时线框的加速度大小;若线框电阻为0.81Ω,求磁感应强度的大小(g取10m/s2)。
(3)在(2)中,若线框刚进入磁场时对其施加一竖直方向外力F,使其能以a=10m/s2的加速度竖直向下做匀加速运动,请说明线框abcd进入磁场的过程中外力F随时间t变化的关系,并作出相应的图像。

    

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科目:gzwl 来源: 题型:

如图所示,质量为m,边长为L的正方形线框abcd,从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方h高度处由静止自由下落,磁场高度为H,线框下落过程中始终在同一竖直平面内且cd边与磁场边界都沿水平方向
(1)请证明线框进入磁场的过程中任意时刻线框克服安培力做功的功率等于线框的电功率;
(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd边进入磁场时线框刚好做匀速运动,求cd边刚穿出磁场时线框的加速度大小;(g取10m/s2)。
(3)在(2)中,若线框刚进入磁场时对其施加一竖直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度竖直向下做匀加速运动,请在下图中作出线框abcd进入磁场的过程中外力F随时间t变化的图像。
 

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科目:gzwl 来源: 题型:多选题

2.如图所示,abcd为一边长为l的正方形导线框,导线框位于光滑水平面内,其右侧为一匀强磁场区域,磁场的边界与线框的cd边平行,磁场区域的宽度为2l,磁感应强度为B,方向竖直向下.线框在一垂直于cd边的水平恒定拉力F作用下沿水平方向向右运动,直至通过磁场区域.cd边刚进入磁场时,线框开始匀速运动,规定线框中电流沿逆时针时方向为正,则导线框从刚进入磁场到完全离开磁场的过程中,a、b两端的电压Uab及导线框中的电流i随cd边的位置坐标x变化的图线可能是(  )
A.B.C.D.

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科目:gzwl 来源: 题型:多选题

17.在竖直平面内有一边长为l的正方形区域,该正方形有两条边水平,一质量为m的小球由该正方形某边的中点,以垂直于该边的初速V0进入该正方形区域.当小球再次运动到该正方形区域的边缘时,具有的动能可能为(不计空气阻力,重力加速度为g)(  )
A.$\frac{1}{2}$mv${\;}_{0}^{2}$B.$\frac{1}{2}$mv${\;}_{0}^{2}$+$\frac{1}{2}mgl$C.$\frac{1}{2}$mv${\;}_{0}^{2}$+$\frac{2}{3}$mglD.$\frac{1}{2}$mv${\;}_{0}^{2}$+mgl

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