16．如下图所示.已知单质I可作为半导体材料.单质G是密度最小的气体.化合物H是无色无味的有毒气体.能在空气中燃烧.化合物E极易溶于水形成无氧酸.该无氧酸在常温时能够与氧化物A起反应. 请填空:——青夏教育精英家教网—

16．如下图所示.已知单质I可作为半导体材料.单质G是密度最小的气体.化闂傚倸鍊烽懗鍫曞磻閵娾晛纾垮┑鐘崇閸ゅ牏鎲搁悧鍫濈瑨闁绘帒鐏氶妵鍕箳閹搭垱鏁鹃柣搴㈢啲閹凤拷【查看更多】

如下图所示，已知：①单质E可作为半导体材料；②化合物F是不能生成盐的氧化物；③化合物I能溶于水，其水溶液呈酸性，它能跟氧化物A发生反应。据此，请完成下列问题：

（1）化合物F是_________________________。

（2）化合物I是_________________________。

（3）反应③的化学方程式是_____________________________________。

（4）反应④的化学方程式是_____________________________________。

如下图所示，已知：①单质E可作为半导体材料；②化合物F是不能生成盐的氧化物；③化合物I能溶于水，其水溶液呈酸性，它能跟氧化物A发生反应。据此，请完成下列问题：

（1）化合物F是_________________________。

（2）化合物I是_________________________。

（3）反应③的化学方程式是_____________________________________。

（4）反应④的化学方程式是_____________________________________。

如下图所示，已知：①单质E可作为半导体材料；②化合物F是不能生成盐的氧化物；③化合物I能溶于水，其水溶液呈酸性，它能跟氧化物A发生反应。据此，请完成下列问题：

（1）化合物F是__________________________。

（2）化合物I是___________________________。

（3）反应③的化学方程式是_________________________________________________。

（4）反应④的化学方程式是_________________________________________________。

如下图所示，已知：①单质E可作为半导体材料；②化合物F是不能生成盐的氧化物；③化合物I能溶于水，其水溶液呈酸性，它能跟氧化物A发生反应。据此填空。

(1)化合物F是___。
(2)化合物I是___。
(3)反应③的化学方程式是____。
(4)反应④的化学方程式是________。

A～I间的反应关系如图所示。已知单质I可作为半导体材料；单质G是密度最小的气体；化合物H是无色无臭的有毒气体，能在空气中燃烧；化合物E极易溶于水形成无氧酸，该酸在常温下能与氧化物A起反应。

（1）氧化物A的化学式是_______________。
（2）化合物E的化学式是_______________。
（3）反应①的化学方程式是_________________。
（4）反应④的化学方程式是_________________。