Question

【题目】Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

（1）下列说法正确的是__________（填序号）

A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能 As>Ga

C.电负性 As>Ga D.原子半径 As>Ga

（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_____________________________；

（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；

Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

（4）请解释金属铜能导电的原因_______________________， Cu2+的核外电子排布式为_______________________。

（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有_________和_________。

Answer 1

【答案】 BC （CH3）3Ga + AsH3 GaAs + 3CH4 三角锥 sp2 铜是金属晶体，由金属阳离子和自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动 ［Ar］3d9 或1s22s22p63s23p63d 9 离子键 配位键

【解析】（1）A项，GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而如图NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；B项，同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，所以第一电离能：As＞Ga，故B正确；C项，同周期元素从左到右电负性逐渐增大，所以电负性：As＞Ga，故C正确；D项，同周期从左到右原子半径减小，所以原子半径As＜Ga，故D错误。综上，选BC。

（2）由已知，反应物为(CH3)3Ga和AsH3，一种生成物为GaAs，根据原子守恒还应有CH4，反应在700℃下进行，化学方程式为：(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4。

（3）As原子最外层5个电子，AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，Ga最外层3个电子，(CH3)3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化。

（4）金属铜能导电是因为铜是金属晶体，由金属阳离子和自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动，从而导电；Cu是29号，故Cu2+的核外电子排布式为［Ar］3d9或1s22s22p63s23p63d9。

（5）[Cu(NH3)4]SO4晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨分子之间形成配位键。