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【题目】在半导体工业中,有一道工序叫烧氢。烧氢的工艺流程如图所示。

工作时,是将石英管D出口处氢气点燃。半导体硅片、焊片和金属零件从石英管口送入加热区,在氢气还原气氛中加热使焊片熔化,将单晶硅与金属零件焊接在一起。焊接后再将零件拉至冷却区,冷却后取出。烧氢工艺中的氢气纯度要求极高,工业氢气虽含氢量达99.9%,但仍含有极微量的水蒸气和氧气,所以点燃氢气前应检验氢气的纯度。试回答下列问题:

1)装置B的作用是________B中发生反应的化学方程式是________

2)装置C中的物质是________C的作用是________

3)点燃氢气前将E(带导管胶塞)接在D出口处,目的是________

4)装置A是安全瓶,可以防止氢气燃烧回火,引起爆炸,其中填充大量纯铜屑的作用是________

【答案】除去氧气2Cu+O22CuOCuO+H2Cu+H2O无水CaCl2(或碱石灰)吸收水蒸气 便于收集氢气检验氢气纯度大量的铜屑可以吸收热量,降低温度

【解析】

(1)制备半导体材料应在氢气的还原性环境中进行,反应中要杜绝氧气的存在,氢气首先通过热的铜屑,以除去氢气中的氧气,涉及反应有2Cu+O22CuO,CuO+H2Cu+H2O,最终氧气和氢气反应生成水而被除去;
(2)B中生成水,为防止水吸收热量而导致D中温度较低,应在C中用碱石灰或无水氯化钙吸收水;
(3)点燃氢气前将E(带导管胶塞)接在D的出口处,可由于氢气的点燃,可用于检验氢气的纯度,防止氢气不纯而爆炸;

(4)A是安全瓶,填装铜屑,可吸收热量,降低温度,可以防止氢气燃烧回火,引起爆炸。

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【题目】在一定温度下,固定体积为2L密闭容器中,发生反应:

2SO2(g)+O2(g)2SO3(g ) ΔH <0,n(SO2)随时间的变化如表:

时间/min

0

1

2

3

4

5

n(SO2)/mol

0.20

0.16

0.13

0.11

0.08

0.08

则下列说法正确的是

A. v(SO2)=v(SO3)时,说明该反应已达到平衡状态

B. O2表示0~4 min内该反应的平均速率为0.005 mol/(L·min)

C. 平衡时再通入O2,平衡右移,O2转化率减小,SO2转化率增大

D. 若升高温度,则SO2的反应速率会变大,平衡常数K值会增大

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B.该溶液可由等物质的量浓度、等体积的NaOH溶液和CH3COOH溶液混合而成

C.加入适量NaOH,溶液中离子浓度为c(CH3COO>c(Na+ >c(OH>c(H+

D.加入适量氨水,c(CH3COO一定大于c(Na+、c(NH4+之和

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A. A B. B C. C D. D

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B. pH试纸测出某溶液pH3.5

C. 用托盘天平称取8.75 g食盐

D. 用酸式滴定管测出消耗盐酸的体积为15.60 mL

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C. 放热反应不用加热也一定能发生

D. 反应是放热还是吸热可以看反应物和生成物所具有的总能量的相对大小

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【题目】下列有关仪器的使用正确的是()

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