【题目】(1)钒在元素周期表中的位置为__________,其价层电子排布图为____________。
(2)基态镓(Ga)原子的电子排布式:__________________。
(3) Fe3+的电子排布式为__________________。
(4)基态铜原子的核外电子排布式为__________________。
(5) Ni2+的价层电子排布图为_____________________。
【答案】第四周期第ⅤB族 1s22s22p63s23p63d104s24p1 1s22s22p63s23p63d5 1s22s22p63s23p63d104s1
【解析】
(1)根据钒的核电荷数为23,其核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d34s2,其价层电子为3d24s2,根据能量最低原则、泡利不相容原理和洪特规则正确画出其价层电子排布示意图;
(2)镓(Ga)原子的核电荷数为31,根据核外电子排布规律书写基态镓(Ga)原子的电子排布式;
(3)根据核外电子排布规律写出基态铁原子的电子排布式:1s22S22p63s23p63d64s2,据此写出 Fe3+的电子排布式;
(4)根据核外电子排布规律写出基态铜原子的电子排布式;
(5)镍原子核电荷数为28,Ni的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d84s2,,Ni2+的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d8,根据能量最低原则、泡利不相容原理和洪特规则正确画出其价层电子排布示意图;
(1)钒的核电荷数为23,则可以推知钒在元素周期表中的位置为第4周期VB族,其电子排布式为1s22s22p63s23p63d34s2,其价层电子排布式为3d34s2,则电子排布图为。
综上所述,本题答案是:第四周期第ⅤB族; 。
(2) 镓原子的核电荷数为31,基态镓(Ga)原子的电子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p1 。
综上所述,本题答案是:1s22s22p63s23p63d104s24p1。
(3) 基态铁原子的电子排布式:1s22S22p63s23p63d64s2,铁原子失去3个电子,Fe3+的电子排布式为:1s22s22p63s23p63d5 ;
综上所述,本题答案是:1s22s22p63s23p63d5。
(4) 铜原子核电荷数为29,基态铜原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1 ;
综上所述,本题答案是:1s22s22p63s23p63d104s1 。
(5) 镍原子核电荷数为28,Ni的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d84s2,,Ni2+的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d8,Ni2+的价层电子排布图为;
综上所述,本题答案是:。
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【题目】处理锂离子二次电池正极废料铝钴膜(含有LiCoO2、Al等)的一种工艺如下:
下列有关说法不正确的是
A. 碱浸的目的是溶解铝B. 酸溶时H2 O2被还原
C. H2SO4/H2O2可改用浓盐酸D. 铝、钴产物可再利用
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【题目】如图是钢铁电化学保护的示意图。分析正确的是
A. 若a、b两端用导线相连,Fe作正极
B. 若a、b两端用导线相连,Zn被还原
C. 若a、b两端与电源相连,Fe作阳极
D. 若a、b两端与电源相连,Zn极得电子
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【题目】判断含氧酸强弱的一条经验规律:含氧酸分子结构中含非羟基氧原子数越多,该含氧酸的酸性越强。几种实例如下表所示。
(1)亚磷酸(H3PO3)和亚砷酸(H3AsO3)的分子式相似,但它们的酸性差别很大。亚磷酸是中强酸,亚砷酸既有弱酸性又有弱碱性,由此可推出它们的结构式分别为:亚磷酸_________,亚砷酸________。
(2)亚磷酸和亚砷酸与过量的NaOH溶液反应的化学方程式分别是:亚磷酸:_____,亚砷酸:______。
(3)在亚磷酸和亚砷酸中分别加入浓盐酸,分析反应情况,写出化学方程式________________。
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【题目】E是一种能发生加聚反应的有机合成中间体,合成E的路线如下。
(1)反应①的类型是________________;反应②的试剂和条件是__________________。
(2)写出反应③的化学方程式_______________________________。
(3)D的结构简式___________。
D有多种同分异构体,写出一种符合下列要求的结构简式____________。
i. 含有苯环 ii. 能发生水解反应 iii. 苯环上的一溴代物有两种
(4)通过反应⑤得到E的产率不高,原因是___________________________。
(5)设计一条由CH3CH=CHCH3为原料制备的合成路线。___________
(合成路线常用的表示方法为:XY……目标产物)
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【题目】某化学小组拟设计微生物燃料电池将污水中的乙二胺[H2N(CH2)2NH2]氧化成环境友好的物质,工作原理如图所示(a、b均为石墨电极)。下列分析正确的是)
A. 电子流动方向为a→导线→b
B. H+经质子交换膜由右向左移动
C. 放电一段时间b极附近pH不变
D. a电极发生反应:H2N(CH2)2NH2+16e-+4H2O==2CO2↑+N2↑+16H+
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【题目】下列燃烧反应的反应热是燃烧热的是( )
A. H2(g)+O2(g)===H2O(g)ΔH1 B. C(s)+O2(g)===CO(g)ΔH2
C. S(s)+O2(g)===SO2(g)ΔH3 D. H2S(g)+O2(g)===S(s)+H2O(l)ΔH4
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【题目】第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常称为高温半导体材料。回答下列问题:
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_________________________,第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______,其中σ键的对称方式为___________。与CN—互为等电子体的分子为___________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________。NF3的空间构型为____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因_________________________________________________________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如下图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____________;
② GaN的密度为______________________g·cm3(用a、NA表示)。
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