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如图是工业电解饱和食盐水的装置示意图,下列有关说法中不正确的是(  )
A、装置中出口①处的物质是氯气,出口②处的物质是氢气
B、装置中发生反应的离子方程式为:2Cl-+2H+
 通电 
.
 
Cl2↑+H2
C、该装置是将电能转化为化学能
D、该离子交换膜只能让阳离子通过,不能让阴离子通过
考点:原电池和电解池的工作原理
专题:电化学专题
分析:A.根据图知,左边装置氯离子放电生成氯气、右边装置氢离子放电生成氢气;
B.弱电解质写化学式;
C.该装置是电解池,是将电能转化为化学能的装置;
D.离子交换膜有选择性.
解答: 解:A.根据图知,左边装置氯离子放电生成氯气、右边装置氢离子放电生成氢气,所以装置中出口①处的物质是氯气,出口②处的物质是氢气,故A正确;
B.电池反应式为2Cl-+2H2O
 通电 
.
 
Cl2↑+H2↑+2OH-,故B错误;
C.该装置是将电能转化为化学能的装置,属于电解池,故C正确;
D.离子交换膜有选择性,根据图象知,该离子交换膜只能让阳离子通过,不能让阴离子通过,故D正确;
故选B.
点评:本题考查了电解原理,明确图象中阴阳极上放电的离子是解本题关键,再结合电解池概念分析解答,题目难度不大.
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科目:高中化学 来源: 题型:

下列物质中,有固定熔点和沸点的是(  )
A、玻璃B、陶瓷C、干冰D、氯水

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科目:高中化学 来源: 题型:

砷化镓(gallium arsenide)的化学式为GaAs,是黑灰色固体,熔点为1238℃.它是一种重要的半导体材料,用来制作微波集成电路[例如单晶微波集成电路(MMIC)]、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳能电池等元件.
(1)AsH3是一种无色可溶于水的气体,其分子空间构型为
 

(2)镓(Ga)在元素周期表中的位置为,其价电子排布式为
 

(3)以AsH3为原料,在700~900℃下通过化学气相沉积来制造半导体材料砷化镓(GaAs)的化学方程式为Ga(CH33+AsH3=GaAs+3X.X的结构简式为
 

(4)砷酸为砷(As)的含氧酸,其分子式为H3AsO4,结构类似于磷酸.AsO43-中,As的杂化类型为
 

(5)砷化镓晶胞如图所示,若镓原子位于立方体内,则砷原子位于立方体的,砷的配位数为,设该晶胞的边长为a nm,NA为阿伏加德罗常数的数值,则砷化镓晶体的密度为
 
g?cm-3

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科目:高中化学 来源: 题型:

A、B、C、D、E、F是常见单质,其中A是用量最大,应用最广泛的金属;元素D是地壳中含量最多的金属元素;D元素和E元素在周期表中相邻.G、H、I、J、K、L是常见化合物,其中G在常温下是无色液体,H是黑色固体.以上物质相互间的转化关系如图所示:请回答下列问题:
(1)元素A在元素周期表中的位置为
 
周期
 
族.
(2)写出K的电子式
 

(3)写出H和D反应的化学方程式
 

(4)D能与氢氧化钠溶液反应,请写出该反应的离子方程式
 

(5)写出A与G反应的化学方程式
 

(6)K与E反应时产生的现象有
 
;该反应的化学方程式为
 

(7)已知F的燃烧热为a kJ/mol,L的燃烧热为b kJ/mol,试写出F生成L的热化学方程式
 

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科目:高中化学 来源: 题型:

已知:A、B为常见的非金属单质且均为气体;甲、乙为金属单质,乙在I的浓溶液中发生钝化;C、H、J的溶液均呈碱性.各物质间的转化关系如图(部分生成物未给出,且未注明反应条件):

(1)C的电子式为
 

(2)写出反应②的化学方程式
 

(3)反应④中每消耗1mol G,转移电子的物质的量为
 

(4)反应⑥的离子方程式是
 

(5)实验室中保存I的方法是
 

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科目:高中化学 来源: 题型:

铅、钡、氧形成的某化合物的晶胞结构是:Pb4+处于立方晶胞顶点,Ba2+处于晶胞中心,O2-处于晶胞棱边中心,该化合物化学式为(  )
A、BaPbO3
B、BaPbO2
C、Ba2PbO3
D、BaPbO4

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科目:高中化学 来源: 题型:

巴豆酸的结构简式为CH3-CH=CH-COOH.现有①氯化氢、②溴水、③纯碱溶液、④乙醇、⑤酸性高锰酸钾溶液,判断在一定条件下,能与巴豆酸反应的物质是(  )
A、只有②④⑤B、只有①③④
C、只有①②③④D、全部

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科目:高中化学 来源: 题型:

根据晶体中的晶胞结构,判断下列晶体的化学式中不正确的是(  )
A、AB2
B、C2D
C、EF
D、XY3Z

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科目:高中化学 来源: 题型:

下列方法中,不能用于实验室里制取氨的是(  )
A、在烧瓶中将熟石灰和氯化铵混合,加水调成泥糊状后加热
B、将分液漏斗中的浓氨水滴入装有浓硫酸的烧瓶中
C、加热试管中的铵盐和碱的混合物
D、加热试管中的氯化铵固体

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