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如图所示,磁感应强度为B的有界正方形匀强磁场边长2L,现有一电阻为R,力长为L的正方形线框abcd以速度v匀速通过该磁场.以bc边进入磁场算起,求:
(1)在右边的坐标图中作出线框中电流I随时间t的变化图象(设逆时针方向为正方向).
(2)线框从进入磁场到完全离开磁场的过程中,电流做的功.
分析:(1)分线框进入磁场、完全在磁场中、穿出磁场三个过程,由E=BLv求感应电动势,再由欧姆定律求感应电流的大小,根据楞次定律判断感应电流的方向,即可作出图象.
(2)因线框匀速运动,电流做功由焦耳定律求出.
解答:解:(1)在t=0-
L
v
时间内,线框进入磁场,感应电流大小 I=
BLv
R
,由楞次定律可知,感应电流的方向沿逆时针方向,为正;
在t=
L
v
-
2L
v
时间内,线框完全在磁场中运动,磁通量不变,没有感应电流.
在t=
2L
v
-
3L
v
时间内,线框穿出磁场,感应电流大小I=
BLv
R
,由楞次定律可知,感应电流的方向沿顺时针方向,为负;
作出I-t如图.
(2)线框只在进入或离开磁场时,电流做功,即:
  W=2I2Rt=
2B2L3v
R

答:
(1)作出线框中电流I随时间t的变化图象如图所示.
(2)线框从进入磁场到完全离开磁场的过程中,电流做的功为
2B2L3v
R
点评:本题是切割类型,掌握法拉第电磁感应定律、欧姆定律,会正确运用楞次定律判断感应电流的方向,难度不大.
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(  )
A、是N型半导体,n=
BI
qdU
B、是P型半导体,n=
BI
qdU
C、是N型半导体,n=
BI
qLU
D、是P型半导体,n=
BI
qLU

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