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(1)求该离子在磁场中运动的半径和离子质量;
(2)若另一个质量略小的同位素射入磁场,应该打在E点的左侧还是右侧?请说明理由;
(3)减小匀强磁场的磁感应强度,使原来打在E点的离子打在D点,∠COD=120°,求改变后磁场的磁感应强度B′;
(4)设同位素在磁场中运动的半径之差△r称为分辨率,请列出数学表达式分析提高实验分辨率的方法.

分析 据动能定理求出进磁场的速度,画出运动的轨迹图,根据几何关系得出打在E点时的半径,过C点和E点作半径的垂线,交点是圆心,根据半径公式联立几何关系求出m,质量变小,半径变小,打在E点左侧,粒子打在D点时方法与第一问相同,只是半径不同,根据轨迹图求出半径,其它同第一问,最后一问要把半径之差的表达式推导出来再讨论.

解答 解:(1)根据动能定理:$qU=\frac{1}{2}m{v}_{\;}^{2}$
得$v=\sqrt{\frac{2qU}{m}}$①
离子进入磁场后做匀速圆周运动,洛伦兹力提供向心力,根据牛顿第二定律得:$qvB=m\frac{{v}_{\;}^{2}}{r}$
得$r=\frac{mv}{qB}$②
画出离子得运动轨迹如图,根据几何关系:$tan60°=\frac{R}{r}$
得$r=\frac{R}{\sqrt{3}}$③
联立①②③$m=\frac{q{B}_{\;}^{2}{R}_{\;}^{2}}{6U}$
(2)根据①②联立得$r=\frac{1}{B}\sqrt{\frac{2mU}{q}}$,换用另一质量略小的同位素,q相同,m偏小,r变小,应该打在E点的左侧
(3)减小磁感应强度,半径变大,画出轨迹,根据几何关系求出半径,$tan30°=\frac{R}{{r}_{\;}^{'}}$
得${r}_{\;}^{'}=\sqrt{3}R$
代入(2)问的式中,$\sqrt{3}R=\frac{1}{{B}_{\;}^{'}}\sqrt{\frac{2mU}{q}}$
解得${B}_{\;}^{'}=\frac{1}{R}\sqrt{\frac{2mU}{3q}}$
(4)由(2)的表达$r=\frac{1}{B}\sqrt{\frac{2U}{q}}\sqrt{m}$
${r}_{\;}^{'}=\frac{1}{B}\sqrt{\frac{2U}{q}}\sqrt{{m}_{\;}^{'}}$
$△r=r-r′=\frac{1}{B}\sqrt{\frac{2U}{q}}(\sqrt{m}-\sqrt{{m}_{\;}^{′}})$
减小磁感应强度或增加加速电压能增加△r,提高分辨率
(1)求该离子在磁场中运动的半径为$\frac{R}{\sqrt{3}}(或\frac{\sqrt{3}R}{3})$和离子质量$m=\frac{q{B}_{\;}^{2}{R}_{\;}^{2}}{6U}$;
(2)若另一个质量略小的同位素射入磁场,应该打在E点的左侧,因为半径变小了
(3)减小匀强磁场的磁感应强度,使原来打在E点的离子打在D点,∠COD=120°,求改变后磁场的磁感应强度B′=$\frac{1}{R}\sqrt{\frac{2mU}{3q}}$;
(4)设同位素在磁场中运动的半径之差△r称为分辨率,请列出数学表达式分析提高实验分辨率的方法$△r=\frac{1}{B}\sqrt{\frac{2U}{q}}(\sqrt{m}-\sqrt{{m}_{\;}^{′}})$.减小磁感应强度或增加加速电压能增加△r,提高分辨率

点评 本题带电粒子在磁场中运动的问题,关键是考查作图能力,解题的三步骤:定圆心、画轨迹、求半径,在电场中的加速常用动能定理列式,在磁场中的偏转根据洛伦兹力提供向心力列式,这是解题的主要依据.

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