如图所示.半圆形玻璃砖置于光屏PQ的左下方.一束白光沿半径方向从A点射入玻璃砖.在O点发生反射和折射.折射光在光屏上呈现七色光带.若入射点由A向B缓慢移动.并保持白光沿半径方向入射到O点.观察到各色光在光屏上陆续消失.在光带未完全消失之前.反射光的强度变化以及光屏上最先消失的光分别是 A. 减弱.紫光 B. 减弱.红光 C. 增强.紫光 D. 增强.红光题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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如图所示，半圆形玻璃砖置于光屏PQ的左下方。一束白光沿半径方向从A点射入玻璃砖，在O点发生反射和折射，折射光在光屏上呈现七色光带。若入射点由A向B缓慢移动，并保持白光沿半径方向入射到O点，观察到各色光在光屏上陆续消失。在光带未完全消失之前，反射光的强度变化以及光屏上最先消失的光分别是

A. 减弱，紫光 B. 减弱，红光 C. 增强，紫光 D. 增强，红光

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如图3所示，有四个等量异种电荷，放在正方形的四个顶点处。A、B、C、D为正方形四个边的中点，O为正方形的中心，下列说法中正确的是(　　)

图3

A．A、B、C、D四个点的电场强度相同

B．O点电场强度等于零

C．将一带正电的试探电荷匀速从B点沿直线移动到D点，电场力做功为零

D．将一带正电的试探电荷匀速从A点沿直线移动到C点，试探电荷具有的电势能增大

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约里奥•居里夫妇由于在1934年发现了放射性同位素而获得了1935年诺贝尔奖金，约里奥•居里夫妇发现放射性同位素和正电子的核反应方程是Al+He→P+n，P→Si+e，则以下判断中正确的是（　　）

	A．	P是由Si和e组成的
	B．	e是P内的质子转化为中子时产生的
	C．	e是P内的中子转化为质子时产生的
	D．	P原子核的质量为m_P、Si原子核的质量为m_S，e的质量为m₀，则P衰变成Si的过程中释放的核能为（m_P﹣m_Si﹣m₀）c²

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科目：高中物理 来源： 题型：

水平抛出的一个石子，经过0.4s落到地面，落地时的速度方向跟水平方向的夹角是53°（sin53°=0.8；cos53°=0.6，g取10m/s² ）．不计阻力，试求：

（1）石子的抛出点距地面的高度；

（2）石子抛出的水平初速度．

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科目：高中物理 来源： 题型：

如图所示，一理想变压器原线圈匝数n₁=1000匝，副线圈匝数n₂=200匝，原线圈所接交流电源的电动势瞬时值表达式e=311sin100πtV，副线圈所接电阻R=88Ω，电流表、电压表对电路影响可忽略不计。则

A. A₁的示数约为0.10A

B. V₁的示数约为311 V

C. V₂的示数约为62.2V

D. A₂的示数约为0.75A

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科目：高中物理 来源： 题型：

已知能使某金属产生光电效应的极限频率为v₀，则

A. 当用频率为2v₀的单色光照射该金属时，一定能产生光电子

B. 当用频率为2v₀的单色光照射该金属时，所产生的光电子的最大初动能为hv₀

C. 当照射光的频率v大于v₀时，若v增大，则逸出功增大

D. 当照射光的频率v大于v₀时，若v增大一倍，则光电子的最大初动能也增大一倍

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科目：高中物理 来源： 题型：

如图所示，在x轴上方有一竖直向下的匀强电场区域，电场强度为E=500V/m。x轴下方分布有很多磁感应强度为B=1T的条形匀强磁场区域，其宽度均为d₁=3cm，相邻两磁场区域的间距为d₂=4cm。现将一质量为m=5×10^-13kg、电荷量为g=1×10^-8C的带正电的粒子（不计重力）从y轴上的某处静止释放，则：