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    如图甲所示，空间有Ⅰ区和Ⅲ区两个有理想边界的匀强磁场区域，磁感应强度大小均为B，方向如图所示。两磁场区域之间有宽度为s的无磁场区域Ⅱ。abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L（L＞s）的正方形线框，每边的电阻为R。线框以垂直磁场边界的速度v水平向右匀速运动，从Ⅰ区经过Ⅱ区完全进入Ⅲ区，线框ab边始终与磁场边界平行。求：

    （1）当ab边在Ⅱ区运动时，dc边所受安培力的大小和方向；

    （2）线框从完全在Ⅰ区开始到全部进入Ⅲ区的整个运动过程中产生的焦耳热；

    （3）请在图乙的坐标图中画出，从ab边刚进入Ⅱ区，到cd边刚进入Ⅲ区的过程中，

    d、a两点间的电势差Uda随时间t变化的图线。其中E0 = BLv 。

     

    （1）　；方向水平向左　   （2）

                 （3）


    解析:

    (1)　dc边产生的感应电动势　E = BLv   　　（1分）

    线框中的感应电流  　　     　（1分）

    dc边所受的安培力　　　F = BIL　　　 （1分）

    求出　　　　　　　　　　　（1分）

    　　　　　　　　　　方向水平向左　　（1分）

    （2） ab边经过Ⅱ区时，设电流为I1，所用时间为t1，产生的热为Q1

    有         　　　　　　　　（1分）

         　　（1分）

    　　　　由焦耳定律　　　　Q1 = I1 2·4R t1　　　　（1分）

        从ab边进入Ⅲ区到cd边进入Ⅱ区，设电流为I2，所用时间为t2，产生的热为Q,2　 有　　　　　　　　　　　   （1分）

           （1分）

        由焦耳定律        Q2 = I2 2·4R t2    （1分）                         

    整个过程中产生的热　Q = 2Q1 + Q2　　　　（1分）

    求出　　　　　   （1分）                  

    （3）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

    （横轴时间标对1分，

    纵轴电势差标对1分，

    图线每段1分）

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    如图甲所示．空间有一宽为2L的匀强磁场区域，磁感应强度为B，方向垂直纸面外，abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L的正方形线框，总电阻为R．线框以垂直磁场边界的速度υ匀速通过磁场区域．在运动过程中，线框ab、cd两边始终与磁场边界平行．设线框刚进入磁场的位置x=0，x轴沿水平方向向右．求：
    （1）从cd边进入磁场到ab边进入磁场的过程中，线框中产生的焦耳热；
    （2）在下面的图乙中，画出cd两端电势差Ucd随距离x变化的图象．其中U0=
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    BLυ    ．（不需要分析说明）

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    如图甲所示．空间有一宽为2L的匀强磁场区域，磁感应强度为B，方向垂直纸面向外．abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L的正方形线框，总电阻值为R．线框以垂直磁场边界的速度v匀速通过磁场区域．在运动过程中，线框ab、cd两边始终与磁场边界平行．设线框刚进入磁场的位置x=0，x轴沿水平方向向右．求：
    （1）cd边刚进入磁场时，ab两端的电势差，并指明哪端电势高；
    （2）线框穿过磁场的过程中，线框中产生的焦耳热；
    （3）在下面的乙图中，画出ab两端电势差Uab随距离变化的图象．其中U0=BLv．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲所示，空间有一宽为2L的匀强磁场区域，磁感应强度为B，方向垂直纸面向外．abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L的正方形线框，总电阻为R．线框以垂直磁场边界的速度v匀速通过磁场区域．在运动过程中，线框ab、cd两边始终与磁场边界平行．设线框刚进入磁场的位置x=0，x轴沿水平方向向右．则ab两端电势差Uab随距离变化的图象正确的是（其中U0=BLv）（　　）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲所示，空间有Ⅰ区和Ⅲ区两个有理想边界的匀强磁场区域，磁感应强度大小均为B，方向如图所示．两磁场区域之间有宽度为s的无磁场区域Ⅱ．abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L（L＞s）的正方形线框，每边的电阻为R．线框以垂直磁场边界的速度v水平向右匀速运动，从Ⅰ区经过Ⅱ区完全进入Ⅲ区，线框ab边始终与磁场边界平行．求：
    （1）当ab边在Ⅱ区运动时，dc边所受安培力的大小和方向；
    （2）线框从完全在Ⅰ区开始到全部进入Ⅲ区的整个运动过程中产生的焦耳热；
    （3）请在图乙的坐标图中画出，从ab边刚进入Ⅱ区，到cd边刚进入Ⅲ区的过程中，
    d、a两点间的电势差Uda随时间t变化的图线．其中E0=BLv．
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