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如图甲所示,空间有Ⅰ区和Ⅲ区两个有理想边界的匀强磁场区域,磁感应强度大小均为B,方向如图所示.两磁场区域之间有宽度为s的无磁场区域Ⅱ.abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L(L>s)的正方形线框,每边的电阻为R.线框以垂直磁场边界的速度v水平向右匀速运动,从Ⅰ区经过Ⅱ区完全进入Ⅲ区,线框ab边始终与磁场边界平行.求:
(1)当ab边在Ⅱ区运动时,dc边所受安培力的大小和方向;
(2)线框从完全在Ⅰ区开始到全部进入Ⅲ区的整个运动过程中产生的焦耳热;
(3)请在图乙的坐标图中画出,从ab边刚进入Ⅱ区,到cd边刚进入Ⅲ区的过程中,
d、a两点间的电势差Uda随时间t变化的图线.其中E0=BLv.
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分析:(1)当ab边在Ⅱ区运动时,dc边切割磁感线产生感应电动势,由E=BLv、I=
E
4R
、F=BIL结合求出安培力的大小,由左手定则判断安培力的方向.  
(2)分段求出线框中感应电流和运动时间,由焦耳定律求焦耳热,再得到总热量.
(3)分段求出d、a两点间的电势差,再画出图象.
解答:解:(1)dc边产生的感应电动势 E=BLv     精英家教网
线框中的感应电流 I=
E
4R

dc边所受的安培力  F=BIL  
求得F=
B2L2v
4R
,方向水平向左  
(2)ab边经过Ⅱ区时,设电流为I1,所用时间为t1,产生的热为Q1
有    I1=
E
4R
t1=
s
v

由焦耳定律 Q1=I1 2?4Rt1,Uda=
1
4
BLv
从ab边进入Ⅲ区到cd边进入Ⅱ区,设电流为I2,所用时间为t2,产生的热为Q2,则有
 I2=
2E
4R
t2=
L-s
v

由焦耳定律得  Q2=I2 2?4Rt2,Uda=-
1
4
×2BLv=
1
2
BLv
整个过程中产生的热 Q=2Q1+Q2   
解得,Q=
B2L2v(2L-s)
2R

从cd边进入Ⅱ区到cd边进入Ⅲ区,Uda=-
1
4
BLv
(3)
画出d、a两点间的电势差Uda随时间t变化的图线如图.
答:
(1)当ab边在Ⅱ区运动时,dc边所受安培力的大小为
B2L2v
4R
,方向水平向左;
(2)线框从完全在Ⅰ区开始到全部进入Ⅲ区的整个运动过程中产生的焦耳热是
B2L2v(2L-s)
2R

(3)图象如图所示.
点评:本题是电磁感应与电路知识的综合,掌握法拉第电磁感应定律、欧姆定律和焦耳定律,学会分过程研究是基本能力.
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科目:高中物理 来源: 题型:

如图甲所示.空间有一宽为2L的匀强磁场区域,磁感应强度为B,方向垂直纸面外,abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L的正方形线框,总电阻为R.线框以垂直磁场边界的速度υ匀速通过磁场区域.在运动过程中,线框ab、cd两边始终与磁场边界平行.设线框刚进入磁场的位置x=0,x轴沿水平方向向右.求:
(1)从cd边进入磁场到ab边进入磁场的过程中,线框中产生的焦耳热;
(2)在下面的图乙中,画出cd两端电势差Ucd随距离x变化的图象.其中U0=
14
BLυ
.(不需要分析说明)

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如图甲所示.空间有一宽为2L的匀强磁场区域,磁感应强度为B,方向垂直纸面向外.abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L的正方形线框,总电阻值为R.线框以垂直磁场边界的速度v匀速通过磁场区域.在运动过程中,线框ab、cd两边始终与磁场边界平行.设线框刚进入磁场的位置x=0,x轴沿水平方向向右.求:
(1)cd边刚进入磁场时,ab两端的电势差,并指明哪端电势高;
(2)线框穿过磁场的过程中,线框中产生的焦耳热;
(3)在下面的乙图中,画出ab两端电势差Uab随距离变化的图象.其中U0=BLv.

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如图甲所示,空间有一宽为2L的匀强磁场区域,磁感应强度为B,方向垂直纸面向外.abcd是由均匀电阻丝做成的边长为L的正方形线框,总电阻为R.线框以垂直磁场边界的速度v匀速通过磁场区域.在运动过程中,线框ab、cd两边始终与磁场边界平行.设线框刚进入磁场的位置x=0,x轴沿水平方向向右.则ab两端电势差Uab随距离变化的图象正确的是(其中U0=BLv)(  )

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如图甲所示,空间有Ⅰ区和Ⅲ区两个有理想边界的匀强磁场区域,磁感应强度大小均为B,方向如图所示。两磁场区域之间有宽度为s的无磁场区域Ⅱ。abcd是由均匀电阻丝做成的边长为LLs)的正方形线框,每边的电阻为R。线框以垂直磁场边界的速度v水平向右匀速运动,从Ⅰ区经过Ⅱ区完全进入Ⅲ区,线框ab边始终与磁场边界平行。求:

(1)当ab边在Ⅱ区运动时,dc边所受安培力的大小和方向;

(2)线框从完全在Ⅰ区开始到全部进入Ⅲ区的整个运动过程中产生的焦耳热;

(3)请在图乙的坐标图中画出,从ab边刚进入Ⅱ区,到cd边刚进入Ⅲ区的过程中,

da两点间的电势差Uda随时间t变化的图线。其中E0 = BLv

 

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