分析 (1)在AB边的中点处由静止释放电子,电场力对电子做正功,根据动能定理求出电子穿过电场时的速度.进入电场II后电子做类平抛运动,水平方向做匀速直线运动,竖直方向做匀加速直线运动,由牛顿第二定律求出电子的加速度,由运动学公式结合求出电子离开ABCD区域的位置坐标.
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子先在电场Ⅰ中做匀加速直线运动,进入电场Ⅱ后做类平抛运动,根据牛顿第二定律和运动学公式结合求出位置x与y的关系式.
(3)电子释放,在电场I中加速到v2,进入电场II后做类平抛运动,在高度为y′处离开电场II时的情景与(2)中类似,然后电子做匀速直线运动,运用动能定理、类平抛运动的规律和几何关系结合解答.
解答 解:(1)电子在I区域,由动能定理,得:$eEL=\frac{1}{2}mv_0^2$
解得:${v_0}=\sqrt{\frac{2eEL}{m}}$
若电子恰能从D点打出来,则:$\left.\begin{array}{l}{\frac{L}{2}=\frac{eE}{2m}{t}^{2};L={v}_{D}t}\end{array}\right.$
解得:${v_D}=\sqrt{\frac{eEL}{m}}$
由于v0>vD,所以电子一定能从CD边打出来,
则:y=$\frac{eE}{2m}{(\frac{L}{v_0})^2}$=$\frac{L}{4}$
故电子离开时坐标为$(-2L,\frac{L}{4})$
(2)由上一小题可知,电子在Ⅱ区的偏移量y=$\frac{L}{4}$
利用类平抛运动末速度的反向延长线经过水平位移中点这一特点,则有
解得:$H=\frac{L}{2}$
(3))电子在I区域,由动能定理,得:$eEX=\frac{1}{2}mv_0^2$
电子在Ⅱ区的偏移量y=$\frac{{e{E_1}}}{2m}{(\frac{L}{v_0})^2}$
利用类平抛运动末速度的反向延长线经过水平位移中点这一特点,则有y=X-y即$y=\frac{X}{2}$
联立以上各式可得:$E_1^{\;}=\frac{{2E{X^2}}}{L^2}$
答:(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,电子离开ABCD区域时的位置坐标是$(-2L,\frac{L}{4})$;
(2)若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动距离H(0<H<L),由AB边中点静止释放的电子能从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),则H为$\frac{L}{2}$;
(3)E1的表达式为$E_1^{\;}=\frac{{2E{X^2}}}{L^2}$.
点评 本题实际是加速电场与偏转电场的组合,对于加速往往根据动能定理研究速度.对于类平抛运动,运用运动的分解法研究.要有分析和处理较为复杂的力电综合题的能力.
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| A. | 仅将偏转电场极性对调一下位置 | |
| B. | 增大偏转电极板间的电压,减小两板间的距离 | |
| C. | 增大偏转电极板间的距离,减小偏转电极的电压 | |
| D. | 减小偏转电极板间的距离,增大偏转电极板的长度 |
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| A. | B、D两点的电场强度相同 | |
| B. | A点的电场强度大于C点的电场强度且两点电场强度方向相同 | |
| C. | 一电子沿B→C→O→D路径移动到D点,电场力一直做正功 | |
| D. | 一电子沿对角线B→O→D路径移动电场力不做功 |
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