| A. | 电子所受的电场力增大,电子克服电场力做功 | |
| B. | 电子所受的电场力减小,电场力对电子做正功 | |
| C. | 电子所受的电场力增大,电势能减小 | |
| D. | 电子所受的电场力增大,电势能增大 |
科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 通过abcd平面的磁通量大小为L2•B | |
| B. | 通过dcfe平面的磁通量大小为$\frac{\sqrt{2}}{2}$L2•B | |
| C. | 通过abfe平面的磁通量大小为L2•B | |
| D. | 通过整个三棱柱的磁通量为$\frac{\sqrt{2}}{2}$L2•B |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 极限频率越大的金属材料逸出功越大 | |
| B. | 只要光照射的时间足够长,任何金属都能产生光电效应 | |
| C. | 从金属表面出来的光电子的最大初动能越大,这种金属的逸出功越小 | |
| D. | 入射光的光强一定时,频率越高,单位时间内逸出的光电子数就越多 |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 2m/s,a正、b负 | B. | 4m/s,a正、b负 | C. | 2m/s,a负、b正 | D. | 4m/s,a负、b正 |
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| A. | $\frac{1}{2π}$ $\sqrt{\frac{g}{h}}$ | B. | π$\sqrt{gh}$ | C. | $\frac{1}{2π}$ $\sqrt{\frac{g}{l}}$ | D. | 2π $\sqrt{\frac{l}{g}}$ |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | U2变小,I3变小 | B. | I1变小,I2变大 | C. | U2不变,I3变大 | D. | I1变大,I2变大 |
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