| A. | 应注意磁卡或带有磁条的存折不放在高温环境中 | |
| B. | 不能将磁卡或带有磁条的存折靠近产生强磁场的家用电器旁边 | |
| C. | 不能将磁卡或带有磁条的存折折叠放置 | |
| D. | 不能用手触摸磁卡,特别是不要触摸背面的黑条,以免弄脏 |
分析 磁卡内部的分子电流的排布按一定的规律进行的,但在剧烈敲打时,高温,靠近磁体时分子电流的排布重新变的杂乱无章,磁卡所带信息消失.
解答 解:磁卡内部的分子电流的排布按一定的规律进行的,但在剧烈敲打时,分子电流的排布重新变的杂乱无章,每个分子电流产生的磁场相互抵消,故对外不显磁性,所带信息消失,
A、高温会是分子电流变得杂乱无章,所以磁卡或带有磁条的存折不放在高温环境中,故A正确.
B、强磁场会改变分子电流的分布特点,所以要放在远离强磁场的地方,故B正确.
C、将磁卡或带有磁条的存折折叠会使一部分信息丢失,所以不能将磁卡或带有磁条的存折折叠放置,故C正确.
D、用手触摸磁卡,不会使磁卡所带信息消失,故D错误.
本题选择错误的,故选:D.
点评 掌握了安培的分子电流假说的内容即可顺利解决此类题目,所以要加强对基本概念的学习.
科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 若已知小方格的边长,可求得平抛的初速度 | |
| B. | 若已知小方格的边长,可求得频闪周期 | |
| C. | 若已知小方格的边长和当地的重力加速度,可求得a、b、c、d任一点的速度 | |
| D. | 若已知小方格的边长和频闪周期,不可以求得当地的重力加速度 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
| A. | 飞行时间t与初速度v0成正比 | |
| B. | 飞行时间t与初速度v0大小无关 | |
| C. | 落地点的水平距离d与初速度v0成反比 | |
| D. | 落地点的水平距离d与初速度v0成正比 |
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科目:高中物理 来源: 题型:解答题
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 在电路中电流所做的功就是电场力对电荷所做的功,电流所做的功只能转化为热能 | |
| B. | 带电粒子在磁场中一定受到洛仑兹力的作用,洛仑兹力不做功,但是可以改变物体的运动状态 | |
| C. | 通电直导线在磁场中会受到安培力的作用,安培力的方向总是垂直于磁感应强度和导线所确定的平面 | |
| D. | 带电粒子射入电场中,一定会受到电场力的作用 |
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
| A. | I1+I2>$\frac{E}{r}$ | B. | I1+I2=$\frac{E}{r}$ | C. | η1+η2=1 | D. | I1R1+I2R2=E |
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 2、3两点的场强相同 | |
| B. | 电子在1点的电势能小于在3点的电势能 | |
| C. | 1、2两点之间的电势差等于3、4两点之间的电势差 | |
| D. | 把一正试探电荷从2移到4再移到3,电场力一直不做功 |
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