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    如图4所示，两平行金属板间有一匀强电场，板长为L，板间距离为d，在板右端L处有一竖直放置的光屏M，一带电荷量为q，质量为m的质点从两板中央射入板间，最后垂直打在M屏上，则下列结论正确的是(　　)

    图4

    A．板间电场强度大小为mg/q

    B．板间电场强度大小为mg/2q

    C．质点在板间的运动时间和它从板的右端运动到光屏的时间相等

     D．质点在板间的运动时间大于它从板的右端运动到光屏的时间


    C　根据质点垂直打在M屏上可知，质点在两板中央运动时向上偏转，在板右端运动时向下偏转，mg<qE，选项A、B错误；根据运动的分解和合成，质点沿水平方向做匀速直线运动，质点在板间的运动时间和它从板的右端运动到光屏的时间相等，选项C正确D错误。


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    科目：高中物理 来源： 题型：


    放在粗糙水平面上的物体受到水平拉力的作用，在0～6 s内其速度与时间图像和该拉力的功率与时间图像分别如图3所示，下列说法正确的是(　　)

    图3

    A．0～6 s内物体位移大小为36 m

    B．0～6 s内拉力做的功为30 J

    C．合外力在0～6 s内做的功与0～2 s内做的功相等

    D．滑动摩擦力大小为5 N

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    如图11所示，水平桌面上的轻质弹簧一端固定，另一端与小物块相连。弹簧处于自然长度时物块位于O点(图中未标出)。物块的质量为m，AB＝a，物块与桌面间的动摩擦因数为μ。现用水平向右的力将物块从O点拉至A点，拉力做的功为W。撤去拉力后物块由静止向左运动，经O点到达B点时速度为零。重力加速度为g。则上述过程中(　　)

    图11

    A．物块在A点时，弹簧的弹性势能等于W－μmga

    B．物块在B点时，弹簧的弹性势能小于W－μmga

    C．经O点时，物块的动能小于W－μmga

    D．物块动能最大时弹簧的弹性势能小于物块在B点时弹簧的弹性势能

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    如图3所示，有四个等量异种电荷，放在正方形的四个顶点处。A、B、C、D为正方形四个边的中点，O为正方形的中心，下列说法中正确的是(　　)

    图3

    A．A、B、C、D四个点的电场强度相同

    B．O点电场强度等于零

    C．将一带正电的试探电荷匀速从B点沿直线移动到D点，电场力做功为零

    D．将一带正电的试探电荷匀速从A点沿直线移动到C点，试探电荷具有的电势能增大

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    A、B是一条电场线上的两点，若在A点释放一初速度为零的电子，电子仅在电场力作用下沿电场线从A运动到B，其电势能Ep随位移s变化的规律如图10所示。设A、B两点的电场强度分别为EA和EB，电势分别为φA和φB。则(　　)

    图10

    A．EA＝EB　　　　　　　　    　B．EA<EB

    C．φA>φB       D．φA<φB

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    如图9所示，平行板电容器AB两极板水平放置，A在上方，B在下方，现将其和二极管串联接在电源上，已知A和电源正极相连，二极管具有单向导电性，一带电小球沿AB中心水平射入，打在B极板上的N点，小球的重力不能忽略，现通过上下移动A板来改变两极板AB间距(两极板仍平行)，则下列说法正确的是(　　)

    图9

    A．若小球带正电，当AB间距增大时，小球打在N的右侧

    B．若小球带正电，当AB间距减小时，小球打在N的左侧

    C．若小球带负电，当AB间距减小时，小球可能打在N的右侧

    D．若小球带负电，当AB间距增大时，小球可能打在N的左侧

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    关于安培力和洛伦兹力的异同，下列说法中正确的是（　　）

    　

    A．

    两种力本质上都是磁场对运动电荷的作用

    　

    B．

    洛伦兹力与带电粒子的运动方向有关，安培力与自由电荷定向移动的方向无关

    　

    C．

    两种力的方向均可用右手定则判断

    　

    D．

    安培力、洛伦兹力都一定不做功

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    约里奥•居里夫妇由于在1934年发现了放射性同位素而获得了1935年诺贝尔奖金，约里奥•居里夫妇发现放射性同位素和正电子的核反应方程是Al+He→P+n，P→Si+e，则以下判断中正确的是（　　）

    　

    A．

    P是由Si和e组成的

    　

    B．

    e是P内的质子转化为中子时产生的

    　

    C．

    e是P内的中子转化为质子时产生的

    　

    D．

    P原子核的质量为mP、Si原子核的质量为mS，e的质量为m0，则P衰变成Si的过程中释放的核能为（mP﹣mSi﹣m0）c2

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    如图所示，在x轴上方有一竖直向下的匀强电场区域，电场强度为E=500V/m。x轴下方分布有很多磁感应强度为B=1T的条形匀强磁场区域，其宽度均为d1=3cm，相邻两磁场区域的间距为d2=4cm。现将一质量为m=5×10-13kg、电荷量为g=1×10-8C的带正电的粒子（不计重力）从y轴上的某处静止释放，则：

    （1）若粒子从坐标（0，h1）点由静止释放，要使它经过x轴下方时，不会进入第二磁场区，h1应满足什么条件?

    （2）若粒子从坐标（0，5cm）点由静止释放，求自释放到第二次过x轴的时间（π取3.14）。

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