如图的电路图是电子技术中的常用电路.a、b是电路的输入端,其中输入的高频电流用“
”表示,低频电流用“~”表示,直流电流用“﹣”表示.负载电阻R中通过的电流有以下说明,其中正确的是()
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A.图甲中R通过的是低频电流 B. 图乙中R通过的是高频电流
C.图乙中R通过的是低频电流 D. 图丙中R通过的是直流电流
E.图丁中R通过的是高频电流
考点: 电容器和电感器对交变电流的导通和阻碍作用.
分析: 根据电容器的特性:通交隔直,通高阻低来分析选择.而线圈的特性:通低频阻高频.
解答: 解:甲图中,电容器通交流隔直流,则R得到的是低频交流成分.故A正确.
乙图中电容较小,电容器通高频阻低频,R得到的主要是低频成分.故B错误,C正确.
丙图中,C较大,对低频的容抗也较小,则高频、低频交流成分通过C,R得到的主要是直流成分,故D正确.
丁图中,线圈的L很大,则对高频交流阻碍较大,对低频阻碍较小,而R得到的成分主要是低频,当然也有高频电流,故E错误;
故选:ACD
点评: 电容器的特性在理解的基础上记住:通交流隔直流,通高频阻低频,也可以用容抗公式记忆:XC=
.对于线圈是阻交流通直流,感抗XL=2πfL.
科目:高中物理 来源: 题型:
如图所示,在与水平方向成60°的光滑金属导轨间连一电源,在相距1m的平行导轨上垂直于导轨放一重力为3N的金属棒ab,棒上通以3A的电流,磁场方向竖直向上,这时棒恰好静止.求:
(1)匀强磁场的磁感应强度B;
(2)ab棒对导轨的压力.
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科目:高中物理 来源: 题型:
下列说法正确的是 ( )
A. β衰变说明原子核内有电子
B. 保持入射光的强度不变,增大入射光频率,遏止电压将增大
C. 天然放射性元素的发现说明原子具有复杂结构
D. 比结合能越大的原子核越稳定
E. 氡的半衰期是3.8天,现有20g氡,经过7.6天还剩5g氡没发生衰变
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科目:高中物理 来源: 题型:
如图所示,两个相等的轻质铝环套在一根水平光滑绝缘杆上,当一条形磁铁向左运动靠近两环时,两环的运动情况是()
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A. 同时向左运动,间距变大 B. 同时向左运动,间距变小
C. 同时向右运动,间距变小 D. 同时向右运动,间距变小
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科目:高中物理 来源: 题型:
如图,一个半径为L的半圆形硬导体AB以速度v,在水平U型框架上匀速滑动,匀强磁场的磁感应强度为B,回路电阻为R0半圆形硬导体AB的电阻为r,其余电阻不计,则半圆形导体AB切割磁感线产生感应电动势的大小及AB之间的电势差分别为()
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A.BLv;
B. 2BLv;BLv
C.2BLv;2
D. BLv;2BLv
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科目:高中物理 来源: 题型:
如图所示,在匀强电场中有A、B两点,将一电量为q的正电荷从A点移到B点,第一次沿直线AB移动该电荷,电场力做功为W1;第二次沿路径ACB移动该电荷,电场力做功W2;第三次沿曲线AB移动该电荷,电场力做功为W3,则()
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A. W1>W2>W3 B. W1<W3<W2 C. W1=W2<W3 D. W1=W2=W3
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科目:高中物理 来源: 题型:
用伏安法测电阻时()
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A. 采用图中Ⅰ所示测量电路,误差来源于伏特表内阻的分流,使电阻测量值小于真实值
B. 采用图中Ⅰ所示测量电路,误差来源于安培表内阻的分压,使电阻测量值大于真实值
C. 采用图中Ⅱ所示测量电路,误差来源于伏特表内阻的分流,使电阻测量值小于真实值
D. 采用图中Ⅱ所示测量电路,误差来源于安培表内阻的分压,使电阻测量值大于真实值
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