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如图的电路图是电子技术中的常用电路.a、b是电路的输入端,其中输入的高频电流用“”表示,低频电流用“~”表示,直流电流用“﹣”表示.负载电阻R中通过的电流有以下说明,其中正确的是()

A.图甲中R通过的是低频电流 B. 图乙中R通过的是高频电流

C.图乙中R通过的是低频电流 D. 图丙中R通过的是直流电流

E.图丁中R通过的是高频电流


考点:  电容器和电感器对交变电流的导通和阻碍作用.

分析:  根据电容器的特性:通交隔直,通高阻低来分析选择.而线圈的特性:通低频阻高频.

解答:  解:甲图中,电容器通交流隔直流,则R得到的是低频交流成分.故A正确.

    乙图中电容较小,电容器通高频阻低频,R得到的主要是低频成分.故B错误,C正确.

   丙图中,C较大,对低频的容抗也较小,则高频、低频交流成分通过C,R得到的主要是直流成分,故D正确.

丁图中,线圈的L很大,则对高频交流阻碍较大,对低频阻碍较小,而R得到的成分主要是低频,当然也有高频电流,故E错误;

故选:ACD

点评:  电容器的特性在理解的基础上记住:通交流隔直流,通高频阻低频,也可以用容抗公式记忆:XC=.对于线圈是阻交流通直流,感抗XL=2πfL.


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(1)匀强磁场的磁感应强度B;

(2)ab棒对导轨的压力.

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下列说法正确的是 (  )

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A.BLv; B. 2BLv;BLv

C.2BLv;2 D. BLv;2BLv

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做曲线运动的物体,在运动过程中一定会发生变化的物理量是()

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    A.             W1>W2>W3           B. W1<W3<W2        C. W1=W2<W3  D. W1=W2=W3

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用伏安法测电阻时()

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    B. 采用图中Ⅰ所示测量电路,误差来源于安培表内阻的分压,使电阻测量值大于真实值

    C. 采用图中Ⅱ所示测量电路,误差来源于伏特表内阻的分流,使电阻测量值小于真实值

    D. 采用图中Ⅱ所示测量电路,误差来源于安培表内阻的分压,使电阻测量值大于真实值

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