8.四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法.有关反应的化学方程式为: SiCl4 + 2H2高温4HCl + Si 下列说法不合理的是 ( ) A.反应制得的硅可用于制造半导体材料 B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 D.混入少量空气对上述反应无影响 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4+2H2
 高温 
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4HCl+Si下列说法不合理的是(  )

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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4(g)+2H2(g)
 高温 
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Si(s)+4HCl(g).下列说法合理的是(  )
A、光导纤维的主要成分是硅单质
B、减小压强有利于加快化学反应速率
C、高温下,氢气的还原性强于硅
D、混入少量空气对上述反应无影响

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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:
SiCl4+2H24HCl+Si
下列说法不合理的是

A.反应制得的硅可用于制造半导体材料
B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D.混入少量空气对上述反应无影响

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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:

SiCl4+2H24HCl+Si

下列说法不合理的是

A.反应制得的硅可用于制造半导体材料

B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率

C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得

D.混入少量空气对上述反应无影响

 

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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4+2H2
 高温 
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4HCl+Si下列说法不合理的是(  )
A.反应制得的硅可用于制造半导体材料
B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D.混入少量空气对上述反应无影响

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