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【题目】依据下列信息,完成填空:

1)某单质位于短周期,是一种常见的半导体材料。在25℃、101kPa下,其气态氢化物在氧气中完全燃烧后恢复至原状态,平均每转移1mol电子放热190.0kJ,该反应的热化学方程式是___

2)已知:2Zn(s)O2(g)=2ZnO(s) ΔH=-701.0kJ·mol-12Hg(l)O2(g)=2HgO(s) ΔH=-181.6kJ·mol-1,则反应: Zn(s)HgO(s)=ZnO(s)Hg(l)ΔH___

3)在温度t1t2下,X2(g)H2反应生成HX的平衡常数如下表:

化学方程式

K(t1)

K(t2)

F2H22HF

1.8×1036

1.9×1032

Cl2H22HCl

9.7×1012

4.2×1011

Br2H22HBr

5.6×107

9.3×106

I2H22HI

43

34

①已知t2t1,生成HX的反应是___反应(吸热放热”)

K的变化体现出X2化学性质的递变性,用原子结构解释原因:___,原子半径逐渐增大,得电子能力逐渐减弱。

③在t1温度1L恒容密闭容器中,1molI2(g)1molH2反应达平衡时热量变化值为Q1;反之,2molHI分解达平衡时热量变化值为Q2,则:Q1___Q2(”“”“=”)

【答案】SiH4(g)2O2(g)=SiO2(s)2H2O(l) ΔH=-1520.0kJ·mol-1 -259.7kJ·mol-1 放热 同一主族元素从上到下原子核外电子层数依次增多

【解析】

(1)某单质位于短周期,是一种常见的半导体材料,该元素为硅,根据题意发生反应为SiH4+2O2═SiO2+2H2O,根据反应,1mol SiH4参与反应时转移8mole,据此计算书写热化学方程式;

(2)根据盖斯定律计算;

(3)①温度升高,平衡常数减小,说明平衡向逆反应方向移动,HX的生成反应为放热反应;

平衡常数越大,说明反应越易进行,FClBrI的得电子能力依次减小的主要原因是:同一主族元素从上到下原子核外电子层数依次增多,原子半径逐渐增大,核对最外层电子的吸引力依次减弱;

③由于HX的生成反应为放热反应,则HX的分解反应为吸热反应。

(1)某单质位于短周期,是一种常见的半导体材料,该元素为硅,根据题意发生反应为SiH4+2O2═SiO2+2H2O,根据反应,1mol SiH4参与反应时转移8mole,所以,当有1molSiH4参加反应时,放出热量为190.0kJ×8=1520.0kJ,其热反应方程式为:SiH4(g)+2O2(g)═SiO2(s)+2H2O(l)H=1520.0kJmol1

(2)已知:①2Zn(s)O2(g)=2ZnO(s) ΔH=-701.0kJ·mol-1

2Hg(l)O2(g)=2HgO(s) ΔH=-181.6kJ·mol-1

根据盖斯定律,×(①-②)可得:Zn(s)HgO(s)=ZnO(s)Hg(l)ΔH=-259.7kJ·mol-1

(3)①由表中数据可知,温度越高平衡常数越小,这说明升高温度平衡向逆反应方向移动,所以HX的生成反应是放热反应;

②平衡常数越大,说明反应越易进行,FClBrI的得电子能力依次减小的主要原因是:同一主族元素从上到下原子核外电子层数依次增多,原子半径逐渐增大,核对最外层电子的吸引力依次减弱造成的;

③在t1温度1L恒容密闭容器中,1molI2(g)1molH2反应达平衡时,设I2的转化浓度为x,列三段式:

K==43,解得x=,则I2的转化率=×100%76.7%,即1molI2(g)1molH2反应达平衡时的转化率为76.7%,由于在t1温度1L恒容密闭容器中,1molI2(g)1molH2反应与2molHI分解反应互为等效平衡,两个反应的转化率之和等于1,则2molHI分解达平衡时HI的转化率=1-76.7%=23.3%,转化的量越多,平衡时热量变化值越大,则Q1Q2

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A.B.C.D.

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