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下列说法,正确的是(  )
A.根据元素周期律,由HClO4可类推出氟元素也存在最高价氧化物的水化物HFO4
B.在元素周期表的金属和非金属分界线附近寻找半导体材料
C.元素周期表有7个周期,8个主族
D.ⅠA族的元素全部是金属元素
A.F元素没有正化合价,则没有最高价氧化物的水化物,故A错误;
B.金属与非金属元素的交界处的元素既有金属性又有非金属性,可作半导体材料,故B正确;
C.元素周期表有7个主族,7个副族、1个零族、1个ⅤⅢ族,故C错误;
D.ⅠA族的元素包括H和碱金属元素,H为非金属元素,故D错误;
故选B.
练习册系列答案
相关习题

科目:高中化学 来源:不详 题型:单选题

右表为元素周期表前四周期的一部分,且X、Y、Z、R和W为主族元素.下列说法正确的是(  )
X
YZR
W
A.五种元素可能都是金属元素
B.X的氢化物的沸点一定比Z的氢化物的沸点高
C.R的最高价氧化物对应的水化物一定是强酸
D.五种元素的原子最外层电子数一定都大于2

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科目:高中化学 来源:不详 题型:问答题

在原子序数1-18号元素中:
(1)与水反应最剧烈的金属是______.
(2)与水反应最剧烈的非金属单质是______.
(3)原子半径最小的元素是______.
(4)气态氢化物最稳定的化学式是______.
(5)最高价氧化物对应水化物的酸性最强的元素是______.

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科目:高中化学 来源:不详 题型:问答题

表是元素周期表的一部分,回答下列有关问题:

周期
ⅠAⅡAⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA0
2
3
4
(1)在这些元素的最高价氧化物对应水化物中,酸性最强的是(填化学式,下同)______,碱性最强的是______,呈两性的氢氧化物是______,
(2)写出工业上冶炼⑤的化学方程式为______;⑤与一种黑色晶体反应冶炼铁的化学方程式为:______.
(3)在⑧与⑦中,非金属性较强的元素是______,写出可以验证该结论的一个离子反应方程式______.

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科目:高中化学 来源:不详 题型:单选题

以下有关原子半径的叙述正确的是(  )
A.原子半径的大小取决于原子核外电子层数
B.原子半径的大小取决于核电荷数
C.同周期主族元素,原子半径随原子序数增大而增大
D.同主族元素,原子半径随原子序数减小而减小

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科目:高中化学 来源:不详 题型:填空题

如图所示为短周期的一部分,如果B原子和C原子的核外电子总数之和为A的4倍,则:
(1)A的原子序数为______,B为(填元素符号,下同)______,C为______.
(2)画出A的原子结构示意图:______,
(3)画出C的离子结构示意图:______
(4)用电子式表示C的氢化物分子的形成过程:______.

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科目:高中化学 来源:不详 题型:单选题

下列原子的价电子排布中,对应于第一电离能最大的是(  )
A.4s24p1B.3s23p2C.2s22p3D.2s23p4

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科目:高中化学 来源:不详 题型:单选题

下列各组物质的性质比较正确的是(  )
A.碱性:KOH>NaOH>LiOH
B.酸性:HNO3>H3PO4>HClO4
C.还原性:Cl->S2->I-
D.稳定性:H2O>HF>H2S

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科目:高中化学 来源:不详 题型:问答题

【选修3物质结构与性质】(15分)
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化台物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是      
 
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离
子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为               
(3)Se原子序数为       ,其核外M层电子的排布式为                    ;
(4)H2Se的酸性比H2S         (填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型
                 ,SO32-离子的立体构型为                   
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7x l0-3和2.5x l0-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,
K2为1.2X10-2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:                          
                                                   
② H2SeO4比 H2SeO3酸性强的原因:                                                  
                                                                              
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示,其晶胞边长为540.0 pm.密度为                    (列式并计算),a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为               pm(列示表示)

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