【题目】发光二极管，也就是LED，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能.LED的核心是一个半导体晶片。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，空穴浓度高，另一部分是N型半导体，自由电子浓度高。这两种半导体连接起来，它们之间就形成一个“P-N结”.当电流通过晶片时，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，以光子的形式发出能量，就发光了.不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同，电子和空穴复合时释放出的能量也不同。下列说法正确的是( )
A. 发光二极管的发光原理与普通白炽灯的发光原理相同
B. 发光二极管的发光原理与普通日光灯的发光原理相同
C. 电子和空穴复合时释放出的光子能量越大，则发出光的波长越短
D. 红光发光二极管发出红光的频率比蓝光发光二极管发出蓝光的频率大
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【题目】一种典型的铀核裂变是生成钡和氪，同时放出3个中子，核反应方程
，已知部分原子核的比结合能与核子数的关系如图所示，下列说法正确的是（ ）
A. 核反应方程中，X粒子是α粒子
B. 核反应方程中，X粒子是质子
C. 
、
和
相比， 
核的比结合能最大，它最稳定
D. 
、
和
相比， 
核的核子数最多，它的结合能最大
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【题目】如图所示，两端开口的U形管粗细均匀，左右两管竖直，底部的直管水平，水银柱的长度如图中标注所示，水平管内两端空气柱a、b的长度分别为10cm、5cm。在左管内缓慢注入一定量的水银，稳定后右管的水银面比原来高10cm。已知大气压强P0＝76cmHg，管内外的温度相同且始终不变。求向左管注入的水银柱长度。
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【题目】在“描绘小灯泡的伏安特性曲线”的实验中，小灯泡的规格为“3.0V，0.5A”，实验电路如图9所示。现备有下列器材：
A．电流表A（量程0~0.6A，内阻约0.1Ω）
B．电压表V（量程0~3V，内阻约3kΩ）
C．滑动变阻器R1（0~5Ω，3.0A）
D．滑动变阻器R2（0~100Ω，1.25A）
E．电源E（电动势为3.0V，内阻不计）
F．开关S和若干导线
① 为了调节方便，滑动变阻器应选用____（请填写选项前对应的字母）
②请根据图中的电路，用笔画线代替导线，将图中的器材连接成完整的实验电路。（不要改动已连接的导线）
③测得通过小灯泡的电流与加在它两端的电压数据，如下表所示。
组数 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
U/V | 0 | 0.20 | 0.50 | 1.00 | 1.50 | 2.00 | 3.00 |
I/A | 0 | 0.09 | 0.21 | 0.34 | 0.40 | 0.46 | 0.50 |
根据上表中实验数据，在图所示的坐标图上作出该灯泡的I－U图线。由图线发现在电流I增大过程中，小灯泡电阻_____________（选填“减小”、“不变”或“增大”）。
④由I－U图线可知，小灯泡两端电压为2.4V时的实际功率是_________W（结果保留两位有效数字）。
⑤滑动变阻器a端与滑片P之间的电阻为RX，滑动变阻器最大阻值为RP，若在该实验中分别接入滑动变阻器R1、R2调整小灯泡两端的电压U，则在额定电压范围内，U 随
变化的图像可能正确的是___。
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【题目】如图甲所示为一列简谐横波在t=2s时的波形图，图乙为这列波上P点的振动图像，下列说法正确的是（ ）
A. 该横波向右传播，波速为0.4m/s
B. t=2s时，Q点的振动方向为y轴负方向
C. 从r=2s到t=7s内，P质点沿x轴向右平移2.0m
D. 从t=2s到t=7s内，Q质点通过的路程为30cm
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【题目】现代科学实验证明了场的存在，静电场与重力场有一定相似之处. 带电体在匀强电场中的偏转与物体在重力场中的平抛运动类似.
（1）一质量为m的小球以初速度v0水平抛出，落到水平面的位置与抛出点的水平距离为x．已知重力加速度为g，求抛出点的高度和小球落地时的速度大小．
（2）若该小球处于完全失重的环境中，小球带电量为+q，在相同位置以相同初速度抛出．空间存在竖直向下的匀强电场，小球运动到水平面的位置与第（1）问小球的落点相同．若取抛出点电势为零，试求电场强度的大小和落地点的电势．
（3）类比电场强度和电势的定义方法，请分别定义地球周围某点的“重力场强度EG”和“重力势φG”，并描绘地球周围的“重力场线”和“等重力势线”．
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【题目】如图所示，x轴在水平地面上，y轴竖直向上，在y轴上的P点分别沿x轴正方向和y轴正方向以相同大小的初速度抛出两个小球a和b，不计空气阻力，若b上行的最大高度等于P点离地的高度，则从抛出到落地，有（ ）
A. a的运动时间是b的运动时间的
倍
B. a的位移大小是b的位移大小的倍
C. a，b落地时的速度相同，因此动能一定相同
D. a，b落地时的速度不同，但动能可能相同
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【题目】如图所示，光滑“∏”形金属导体框平面与水平面的夹角为θ.两侧对称，间距为L，上端接入阻值为R的电阻。ab以上区域内有垂直于金属框平面磁感应强度为B的匀强磁场。质量为m的金属棒MN与金属框接触良好，由图示位置以一定的初速度沿导轨向上运动，进入磁场区域后又继续上升一段距离但未碰及电阻R。已知金属棒上升、下降经过ab处的速度大小分别为v1、v2，不计金属框、金属样电阻及空气的理力。下列说法中正确的是
A. 金属棒上升时间小于下降时间
B. v2的大小可能大于
C. 上升过程中电阻R产生的焦耳热较下降过程的大
D. 金属棒上升、下降经过ab处的时间间隔为
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【题目】如图所示，间距为L的足够长的平行金属导轨固定在斜面上，导轨一端接入阻值为R的定值电阻，t=0时，质量为m的金属棒由静止开始沿导轨下滑，t=T时，金属棒的速度恰好达到最大值vm，整个装置处于垂直斜面向下、磁感应强度为B的匀强磁场中，已知金属棒与导轨间的动摩擦因数为μ，金属棒在运动过程中始终与导轨垂直且接触良好，金属棒及导轨的电阻不计，下列说法正确的是( )
A. 
时，金属棒的速度大小为
B. 0～T的过程中，金属棒机械能的减少量等于R上产生的焦耳热
C. 电阻R在0～
内产生的焦耳热小于
～T内产生的焦耳热
D. 金属棒0～
内机械能的减少量大于
～T内机械能的减少量
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