Question

已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序数依次增加，A焰色反应呈黄色；工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，E单质是制备漂白液的原料，F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物，G是一种主族金属。
（1）前四周期所有元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有    种。
（2）元素A、B、C分别与氟气化合形成物质X、Y、Z熔点见下表：

氟化物	X	Y	Z
熔点/K	1266	1534	183

解释表中氟化物熔点差异的原因：                                      。
（3）已知常温条件下，极性分子DOE₂是一种液态化合物，中心原子D的杂化方式是      。向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的DOE₂溶液，生成两种有刺激性气味的气体。请书写此反应的化学方程式                            。
（4）G与氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。G原子的价电子排布式为           。在该合成材料中，与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体。在四种基本晶体类型中，此晶体属于        晶体。
（5）F晶体的堆积方式是         (填堆积名称)，其配位数为       。 向F的硫酸盐溶液中滴加氨水直至过量，写出此过程所涉及的两个离子方程式                                         根据价层电子对互斥理论，预测SO₄^2-的空间构型为                。

Answer 1

（1）5(1分)
（2）NaF和MgF₂为离子晶体，SiF₄为分子晶体，(1分) MgF₂的晶格能大于NaF(1分)　　（3）SP³(1分)   SOCl₂ + H₂O = SO₂↑+ 2HCl↑(2分)
（4）4s²p¹(1分)，原子(1分)
（5）面心立方最密堆积(1分)，  12(1分)， Cu²⁺ + 2NH₃·H₂O = Cu(OH)₂↓+ 2NH₄⁺(2分)Cu(OH)₂ + 4NH₃·H₂O = [Cu(NH₃)₄]²⁺ + 4H₂O + 2OH^-(或将NH₃·H₂O写成NH₃)(2分)，   正四面体(1分)

解析试题分析：A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序数依次增加，A焰色反应呈黄色是Na；工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，是Mg；C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，是Si；D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，是S；E单质是制备漂白液的原料，为Cl；F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物，为Cu；G是一种主族金属。
（1）前四周期所有元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有1s¹，2s²2p²或2s²2p⁴，3s²3p³，3d⁶4s²(注意根据洪特规则3d⁴4s²是3d⁵4s¹)，共5种。
（2）元素Na、Mg、Si分别与氟气化合形成物质X(NaF)、Y(MgF₂)、Z(SiF₄)熔点NaF和MgF₂为离子晶体，SiF₄为分子晶体，MgF₂的晶格能大于NaF。
（3）已知常温条件下，极性分子SOCl₂是一种液态化合物，中心原子S有价层电子4对，杂化方式是SP³。向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的SOCl₂溶液，生成两种有刺激性气味的气体为水解，即SO₂和HCl。
（4）G与氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。物质分子式是GN，G为+3价，在Cu之后，故是G原子的价电子排布式为4s²p¹。在该合成材料中，与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体。在四种基本晶体类型中，此晶体属于原子晶体。
（5）Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积，其配位数为12。 向CuSO₄溶液中滴加氨水直至过量，Cu²⁺先生成Cu(OH)₂沉淀，在溶解为[Cu(NH₃)₄]²⁺，根据价层电子对互斥理论，SO₄^2-的价层电子为4对，空间构型为正四面体。
考点：物质结构与性质。